[发明专利]一种氧化亚铜/硫氰酸亚铜异质结光电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种氧化亚铜/硫氰酸亚铜异质结光电薄膜的制备方法，其特征在于：通过碱液浸泡处理CuSCN光电薄膜的方式实现原位构建Cu₂O/CuSCN异质结光电薄膜，具体技术方案如下：

(1)将CuSO₄·5H₂O、乙二胺四乙酸与KSCN按1：1：0.25～1的摩尔比例依次溶解到去离子水中，搅拌溶解后制备获得前驱体溶液；

(2)将步骤(1)配制的前驱体溶液转移至配有铂丝对电极、甘汞参比电极和清洗干净的FTO或ITO导电玻璃的三电极体系的电化学反应槽中，利用电化学工作站在导电玻璃表面进行电化学沉积，控制电化学沉积过程中的沉积电位和沉积电量；

(3)将步骤(2)电化学沉积结束后的导电玻璃取出，用去离子水冲洗3遍，在60℃真空烘箱烘干后，即可获得CuSCN光电薄膜；

(4)将步骤(3)获得的CuSCN光电薄膜在一定浓度的NaOH强碱溶液中浸泡一段时间，取出后用去离子水冲洗2遍，即可获得原位生长的氧化亚铜/硫氰酸亚铜异质结光电薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种氧化亚铜/硫氰酸亚铜异质结光电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(1)制备获得的前驱体溶液中CuSO₄和乙二胺四乙酸的摩尔浓度均为12mmol/L，KSCN摩尔浓度为3～12mmol/L。

3.根据权利要求1所述的一种氧化亚铜/硫氰酸亚铜异质结光电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(2)中电化学沉积电位为-0.1～-0.4V，沉积电量为20～80mC/cm²。

4.根据权利要求1所述的一种氧化亚铜/硫氰酸亚铜异质结光电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(4)中NaOH强碱溶液浓度为0.05～0.2mol/L，浸泡时间为10s～180s。

5.一种由权利要求1-4任一项所述的制备方法得到的氧化亚铜/硫氰酸亚铜异质结光电薄膜，其特征在于：该薄膜具有Cu₂O纳米针和CuSCN纳米棒两层明显不同的纳米结构，其中Cu₂O纳米针是从CuSCN纳米棒中生长出来，二者结合紧密，形成异质结结构。