[发明专利]静电放电电路及电子设备在审

专利信息
申请号: 201910433956.3 申请日: 2019-05-23
公开(公告)号: CN110223977A 公开(公告)日: 2019-09-10
发明(设计)人: 何永强;罗旭程;程剑涛;杜黎明;孙洪军;乔永庆 申请(专利权)人: 上海艾为电子技术股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李慧引;王宝筠
地址: 201199 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 静电电压 静电放电单元 双向导通 静电放电电路 电子设备 寄生电容 外接引脚 放电 高速数据传输 带宽要求 数据传输 数据实现 阈值时 减小 电路 传输 输出
【说明书】:

发明提供一种静电放电电路及电子设备,包括:静电放电单元和具备寄生电容的双向导通单元;其中,双向导通单元的一端与被保护电路的外接引脚连接,双向导通单元的另一端与静电放电单元连接;双向导通单元,用于接收外接引脚的静电电压,并向静电放电单元输出静电电压;静电放电单元,用于接收静电电压,并在静电电压大于阈值时,对静电电压进行放电。通过上述方案,减小了对静电电压进行放电时所产生的寄生电容过大对高速数据传输的干扰,满足数据传输时的带宽要求,有利于数据实现稳定高效的传输。

技术领域

本发明属于半导体集成电路技术领域,更具体的说,尤其涉及一种静电放电电路及电子设备。

背景技术

随着科技的发展,电子产品越来越智能化,功能跟随应用场景的不同越来越复杂,为了保证电子产品在不同的应用场景中安全可靠的运行,要求其抗静电干扰和对静电放电的能力要求越来严格。

其中,静电放电电路(Electro-Static discharge,ESD)是半导体集成电路中极为重要的部分,其主要负责保护芯片内部的器件不受静电放电的损伤。随着芯片应用场景的逐步复杂,以及人们对ESD性能要求也不断提高。

例如:在数据传输的过程中,通常需要信号端口能够具备负信号传输能力,一般需要传输负3V甚至更负的电压。另外,数据传输的信号端口也需要满足高速信号传输,目前应用需要通常需要通路的带宽达到1GHz甚至更高。因此,这类将数据传输高速传输的场景下,需要相应的信号通道具备通过负信号的能力,同时也需要具备较小的寄生电容。

ESD电路作为信号通道的中重要组成部分,因此,这类应用就对ESD电路提出了相同的需求,一方面需要具备传输负信号能力,另一方面需要具备较小的寄生电容。在现有的ESD电路方案中,虽然可以进行负信号传输,但是其无法满足高速传输需求,其对地的等效电容较大,使得限制了信号通道带宽。

发明内容

有鉴于此,本发明的目的在于提供一种静电放电电路及电子设备,用于降低静电放电电路的寄生电容,从而减小了寄生电容对高速数据传输的干扰。

本发明第一方面公开了一种静电放电电路,包括:静电放电单元和具备寄生电容的双向导通单元;

其中,所述双向导通单元的一端与被保护电路的外接引脚连接,所述双向导通单元的另一端与所述静电放电单元连接;

所述双向导通单元,用于接收所述外接引脚的静电电压,并向所述静电放电单元输出所述静电电压;

所述静电放电单元,用于接收所述静电电压,并在所述静电电压大于阈值时,对所述静电电压进行放电。

可选的,所述双向导通单元的寄生电容小于所述静电放电单元的寄生电容。

可选的,所述双向导通单元,包括:正向导通单元和反向导通单元;

所述正向导通单元,用于在接收到与所述正向导通单元的输入端连接的所述外接引脚的静电电压,为正向静电电压时,所述正向导通单元导通,并向与所述正向导通单元的输出端连接的所述静电放电单元,输出所述正向静电电压;

所述反向导通单元,用于在接收到与所述反向导通单元的输入端连接的所述外接引脚的静电电压,为反向静电电压时,所述反向导通单元导通,并向与所述反向导通单元的输出端连接的所述静电放电单元,输出所述反向静电电压。

可选的,所述正向导通单元,包括:至少一个二极管;其中,所述二极管采用前一个二极管的阴极连接后一个二极管的阳极的方式进行连接;

所述二极管中,不与所述正向导通单元中其他二极管的阴极连接的二极管的阳极,作为所述正向导通单元的输入端与外接引脚连接;不与所述正向导通单元中其他二极管的阳极连接的二极管的阴极,作为所述正向导通单元的输出端与所述静电放电单元连接。

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