[发明专利]一种TEC温控驱动电路及其控制策略有效
申请号: | 201910434232.0 | 申请日: | 2019-05-23 |
公开(公告)号: | CN110262589B | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 周健;陈帅;朱海龙;孙杰 | 申请(专利权)人: | 南京牧镭激光科技有限公司 |
主分类号: | G05D23/24 | 分类号: | G05D23/24 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人: | 刘畅 |
地址: | 210000 江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 tec 温控 驱动 电路 及其 控制 策略 | ||
1.一种TEC温控驱动电路,其特征在于:它包括线性稳压器LDO、电流吸收电路和开关电源SW电路:
-所述线性稳压器LDO的输出端连接TEC的LDO端提供输入电压V-LDO;
-所述开关电源SW电路的输出端连接TEC的SW端提供输入电压V-SW;
-所述电流吸收电路连接在TEC的LDO端:当V-LDO>V-SW时断路,电流自线性稳压器LDO流入TEC;当V-LDO<V-SW时导通,电流自TEC流出至电流吸收电路;所述电流吸收电路包括第二NMOS管Q2和第二运算放大器U3,第二运算放大器U3的反相输入端连接输入电压,第二运算放大器U3的同相输入端接固定电压输入,第二运算放大器U3的输出端接第二NMOS管的门极,第二NMOS管Q2的源极连接TEC的LDO端,第二NMOS管Q2的漏极接地。
2.根据权利要求1所述的一种TEC温控驱动电路,其特征在于:线性稳压器LDO的输入端与电流吸收电路的输入端连接,二者接收同一控制电压Vctr的输入信号。
3.根据权利要求2所述的一种TEC温控驱动电路,其特征在于:线性稳压器LDO和电流吸收电路输入端的控制电压Vctr、开关电源SW电路输入端的PWM信号,二者均由主控芯片SoC产生。
4.根据权利要求2所述的一种TEC温控驱动电路,其特征在于:控制电压Vctr经过低通滤波电路后连接线性稳压器LDO和电流吸收电路的输入端。
5.根据权利要求1所述的一种TEC温控驱动电路,其特征在于:所述开关电源SW电路为专用的开关电源控制器芯片,开关电源控制器芯片的输入端接收PWM信号,开关电源控制器芯片的输出端通过储能元件后连接TEC的SW端为TEC提供输入电压V-SW。
6.根据权利要求1所述的一种TEC温控驱动电路,其特征在于:所述开关电源SW电路为MOS管驱动器+MOS管结构,MOS管驱动器的输入端接收PWM信号,MOS管驱动器的输出端分别连接第三PMOS管Q3的门极和第四NMOS管Q4的门极,第三PMOS管Q3的源极连接供电电压PVcc,第四NMOS管Q4的源极接地,第三PMOS管Q3的漏极和第四NMOS管Q4的漏极相接作为输出端通过储能元件后连接TEC的SW端为TEC提供输入电压V-SW。
7.根据权利要求6所述的一种TEC温控驱动电路,其特征在于:第三PMOS管Q3和第四NMOS管Q4作为一组MOS管,多组MOS管呈并联连接。
8.根据权利要求1所述的一种TEC温控驱动电路,其特征在于:线性稳压器LDO包括第一运算放大器U2和第一PMOS管Q1,控制电压Vctr作为参考电压输入第一运算放大器U2的反相输入端,第一运算放大器U2的输出端连接第一PMOS管Q1的门极,第一PMOS管Q1的源极连接供电电压PVcc,第一PMOS管Q1的漏极连接TEC的LDO端,第一PMOS管Q1的漏极电压即TEC的输入电压V-LDO;TEC的输入电压V-LDO经过第二电阻R2和第三电阻R3分压后作为取样电压反馈至第一运算放大器U2的同相输入端组成闭环反馈。
9.一种TEC温控驱动电路的控制策略,基于权利要求1-8任一项所述的一种TEC温控驱动电路,其特征在于:
当TEC为大负载时,调节开关电源SW电路的输出电压V-SW实现高效的温度控制;
当TEC为小负载时,调节线性稳压器LDO的输出电压V-LDO实现高精度的温度控制。
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