[发明专利]基于单粒子翻转数据的物理LSB与逻辑地址映射关系提取方法

说明书

为了解决目前通过逆向工程获取芯片内部版图，提取芯片的物理地址与逻辑地址的对应关系，导致成本较高的技术问题，本发明提供了一种基于单粒子翻转数据的物理LSB与逻辑地址映射关系提取方法，包括步骤：1、准备单粒子翻转数据；2、计算并统计XOR参数和BHD参数；3、提取物理LSB与逻辑地址位映射关系；4、提取物理列LSB对应的逻辑位。本发明从待测器件的单粒子翻转数据中，提取出待测器件的物理LSB与逻辑地址位之间的映射关系，从而省去了对待测器件进行逆向工程的环节，降低了成本。

技术领域

本发明涉及一种基于单粒子翻转数据的物理LSB与逻辑地址映射关系提取方法。

背景技术

多位翻转(Multiple Cell Upsets，MCU)是单个粒子入射存储器件，通过在多个敏感单元中沉积能量，导致多个存储单元同时发生翻转的现象。随着器件特征尺寸的降低，MCU出现的越来越频繁，对微电子器件的可靠性带来严重的威胁。

相关研究过程中，从单粒子翻转(Single Event Upsets，SEU)数据中判别MCU是最基本的要求。因为用户使用的是外部逻辑单元地址，而判断两个翻转单元是否相邻用的是内部物理单元地址，二者并不一致。通常，存储器芯片厂家出于对商业利益的保护，不会对用户开放芯片内部版图结构，从而使得MCU提取时面临的最主要问题是缺少物理地址与逻辑地址的映射关系。目前获取存储器物理地址与逻辑地址映射关系一种方法是首先通过逆向工程获取芯片内部版图，然后进一步分析获取芯片的物理地址与逻辑地址的对应关系。但这种方法需要额外的花费，时间成本较高。

发明内容

为了解决目前通过逆向工程获取芯片内部版图，提取芯片的物理地址与逻辑地址的对应关系，导致成本较高的技术问题，本发明提供了一种基于单粒子翻转数据的物理LSB与逻辑地址映射关系提取方法。

本发明的技术方案是：

基于单粒子翻转数据的物理LSB与逻辑地址映射关系提取方法，其特殊之处在于，包括以下步骤：

1】准备单粒子翻转数据；

2】计算并统计XOR参数和BHD参数：

2.1】计算每一个测试周期内，任意两个单粒子翻转单元逻辑地址之间的二进制按位异或结果XOR；

2.2】计算每一个测试周期内，任意两个单粒子翻转单元逻辑地址之间的汉明距离BHD，即对应二进制按位异或结果XOR中“1”的个数；

2.3】合并所有测试周期内获得的[XOR,BHD]参数对，根据BHD值对[XOR,BHD]参数对进行分组，不同组中的BHD值不同且唯一；

2.4】在步骤2.3】中得到的不同组中，统计每一个XOR值出现的次数，并在组内根据出现次数，对XOR值进行降序排序；

3】提取物理LSB与逻辑地址位映射关系：

3.1】逐位提取物理行LSB对应的逻辑位：

3.1.1】BHD＝1对应的组内，所有XOR值有1位为“1”，此时出现次数最多的XOR值中，为“1”的逻辑地址位，即为存储器内部物理行地址的最低位，记为LSB_r1；

3.1.2】BHD＝i对应的组内，所有XOR值有i位为“1”，只考虑其中LSB_r1…LSB_r(i-1)为“1”的所有XOR值，出现次数最多的XOR值中，除了前面得到的LSB_r1…LSB_r(i-1)位为“1”之外，新增加的“1”所在的逻辑地址位，即为物理行地址的第i位LSB，记为LSB_ri；i≥2；