[发明专利]无版图信息条件下多位翻转信息提取方法有效
申请号: | 201910434454.2 | 申请日: | 2019-05-23 |
公开(公告)号: | CN110188441B | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 王勋;张凤祁;郭晓强;丁李利;罗尹虹;陈伟 | 申请(专利权)人: | 西北核技术研究院 |
主分类号: | G06F30/398 | 分类号: | G06F30/398 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 史晓丽 |
地址: | 710024 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 版图 信息 条件下 翻转 提取 方法 | ||
为解决现有多位翻转信息提取方法需要通过逆向工程获取芯片内部版图,导致成本较高的技术问题,本发明提供了一种无版图信息条件下多位翻转信息提取方法,包括步骤:1、提取物理LSB与逻辑地址位的映射关系;2、利用步骤1提取得到的Nr位物理行LSB和Nc位物理列LSB与逻辑地址位的映射关系,从待测器件的单粒子翻转数据中提取多位翻转;利用步骤1提取的物理LSB与逻辑地址位的映射关系,获取步骤2所提取的所有相互隔离的多位翻转的形状。本发明从待测器件的单粒子翻转数据中,提取出待测器件的物理LSB与逻辑地址位之间的映射关系,并利用该映射关系从单粒子翻转试验数据中提取多位翻转信息,省去了对待测器件进行逆向工程的环节,降低了成本。
技术领域
本发明涉及一种无版图信息条件下多位翻转信息提取方法。
背景技术
多位翻转(Multiple Cell Upsets,MCU)是单个粒子入射存储器件,通过在多个敏感单元中沉积能量,导致多个存储单元同时发生翻转的现象。随着器件特征尺寸的降低,多位翻转出现的越来越频繁,对微电子器件的可靠性带来严重的威胁。
相关研究过程中,从单粒子翻转(Single Event Upsets,SEU)数据中判别多位翻转是最基本的要求。因为用户使用的是外部逻辑单元地址,而判断两个翻转单元是否相邻用的是内部物理单元地址,二者并不一致。通常,存储器芯片厂家出于对商业利益的保护,不会对用户开放芯片内部版图结构,从而使得多位翻转提取时面临的最主要问题是缺少物理地址与逻辑地址的映射关系。目前获取存储器物理地址与逻辑地址映射关系一种方法是首先通过逆向工程获取芯片内部版图,然后进一步分析获取芯片的物理地址与逻辑地址的对应关系。但这种方法需要额外的花费,时间成本较高。
发明内容
为了解决现有多位翻转信息提取方法需要通过逆向工程获取芯片内部版图,导致成本较高的技术问题,本发明提供了一种无版图信息条件下多位翻转信息提取方法。
本发明的发明构思:
存储器内部存储单元一般可以分为多个相互隔离的块和组,不同的块和组用物理地址的高位进行选择。因此,高位地址不同的两个存储单元不可能是相邻的。只有用于同一个组内存储单元选择的物理地址(低位地址)满足相邻条件时,即连续的物理最低有效位(Least Significant Bits,LSB)相互不同时,两个存储单元才可能物理相邻。因此,只需知道用于组内存储单元选择的物理LSB与逻辑地址位的映射关系,就能判断同一组内的两个存储单元是否相邻。
本发明的技术方案是:
无版图信息条件下多位翻转信息提取方法,其特殊之处在于,包括以下步骤:
步骤1,提取物理LSB与逻辑地址位的映射关系:
1.1】准备单粒子翻转数据;
1.2】计算并统计XOR参数和BHD参数:
1.2.1】计算每一个测试周期内,任意两个单粒子翻转单元逻辑地址之间的二进制按位异或结果XOR;
1.2.2】计算每一个测试周期内,任意两个单粒子翻转单元逻辑地址之间的汉明距离BHD,即对应二进制按位异或结果XOR中“1”的个数;
1.2.3】合并所有测试周期内获得的[XOR,BHD]参数对,根据BHD值对[XOR,BHD]参数对进行分组,不同组中的BHD值不同且唯一;
1.2.4】在步骤1.2.3】中得到的不同组中,统计每一个XOR值出现的次数,并在组内根据出现次数,对XOR值进行降序排序;
1.3】提取物理LSB与逻辑地址位映射关系:
1.3.1】逐位提取物理行LSB对应的逻辑位:
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