[发明专利]微波源进气装置及半导体工艺设备在审
| 申请号： | 201910434857.7 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN111986971A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 袁志涛;韩炜 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微波 源进气 装置 半导体 工艺设备 | ||
1.一种微波源进气装置，用于向多个微波源输送气体，包括管路组件，所述管路组件包括主路管路和多条支路管路，多条所述支路管路分别与所述主路管路连接，其特征在于，还包括多个流量控制结构，多个所述流量控制结构一一对应的设置在多条所述支路管路上，用于增大各个所述支路管路的流阻，以使各个所述支路管路的流量一致。
2.根据权利要求1所述的微波源进气装置，其特征在于，所述流量控制结构包括用于使流体通过的通孔，多个所述流量控制结构的通孔的孔径相同。
3.根据权利要求2所述的微波源进气装置，其特征在于，所述流量控制结构包括质量流量控制器、节流阀或节流垫片。
4.根据权利要求2所述的微波源进气装置，其特征在于，所述管路组件还包括设置在所述主路管路上的质量流量控制器，所述通孔的孔径根据所述质量流量控制器的前端压力和后端压力以及所述主路管路上的气体流量进行设定。
5.根据权利要求4所述的微波源进气装置，其特征在于，所述孔径的大小被设置为使所述流量控制结构的前端压力大于两倍的所述流量控制结构的后端压力。
6.根据权利要求4所述的微波源进气装置，其特征在于，所述质量流量控制器的前端压力的取值范围为0.1MPa～2MPa，所述质量流量控制器的后端压力的取值范围为0.3Torr～0.5Torr，所述主路管路上的气体流量为1000sccm时，所述流量控制结构的通孔的孔径为0.5mm。
7.根据权利要求4所述的微波源进气装置，其特征在于，所述质量流量控制器的前端压力的取值范围为0.1MPa～2MPa，所述质量流量控制器的后端压力的取值范围为0.8Torr～1Torr，所述主路管路上的气体流量为1000sccm时，所述流量控制结构的通孔的孔径为0.7mm。
8.根据权利要求4所述的微波源进气装置，其特征在于，所述质量流量控制器的前端压力的取值范围为0.1MPa～2MPa，所述质量流量控制器的后端压力的取值范围为1.2Torr～1.5Torr，所述主路管路上的气体流量为2000sccm时，所述流量控制结构的通孔的孔径为1mm。
9.根据权利要求1所述的微波源进气装置，其特征在于，多条所述支路管路的形状及尺寸相同，并且，各个所述流量控制结构在其所在的所述支路管路上的设置位置相同。
10.根据权利要求9中所述的微波源进气装置，其特征在于，所述支路管路的内径为4.6mm。
11.根据权利要求9所述的微波源进气装置，其特征在于，多个所述流量控制结构一一对应的设置在所述支路管路与所述主路管路的连接处。
12.一种半导体工艺设备，包括多个微波源、多个腔室和微波源进气装置，所述微波源进气装置的多条支路管路分别通过多个所述微波源连接至多个所述腔室，其特征在于，所述微波源进气装置为权利要求1-11中任一所述的微波源进气装置。
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