[发明专利]相变化记忆体及其制造方法有效
| 申请号： | 201910435046.9 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110164903B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 郑胜鸿;张明丰;杨子澔 | 申请（专利权）人： | 北京时代全芯存储技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N79/00 | 分类号： | H10N79/00;H10N70/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100094 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相变 记忆体 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造相变化记忆体的方法，其特征在于，包含以下操作：
形成一前驱结构，该前驱结构包含具有一第一开口的一第一介电层；
形成一下电极及一环形加热器于该第一开口中，其中该环形加热器设置于该下电极上；
形成一第二介电层于该环形加热器之上，其中该第二介电层具有一第二开口；
形成一相变化层材料于该第二介电层上，以及该第二开口的一侧壁及一下表面上；
移除该第二介电层上的该相变化层材料，以及该第二开口的该下表面的一部分该相变化层材料，以形成环形相变化层于该第二开口的该侧壁，其中该环形相变化层与该环形加热器在该下电极的一法线方向上错位，且该环形相变化层具有一第一接触区及一第二接触区分别与该环形加热器接触；
移除该环形相变化层的该第一接触区及该第二介电层的一部分，以形成一弧形相变化层及一第一凹槽在该第二介电层中，其中该第一凹槽暴露出该环形加热器的一部分，且该第一凹槽与该环形加热器及该弧形相变化层在该下电极的该法线方向上错位；以及
形成一上电极于该弧形相变化层上。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中形成该下电极及该环形加热器的操作包含：
形成一导电材料于该第一介电层上，以及该第一开口的一侧壁及一下表面上；
形成一平坦层材料于该导电材料上，并填充该第一开口；以及
移除该第一介电层上的一部分该导电材料、一部分该平坦层材料及一部分该第一介电层，以形成该下电极及该环形加热器。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成该下电极及该环形加热器的操作之前，还包含形成一阻障层共形地覆盖该第一开口。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该下电极与该环形加热器一体成型。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该上电极的操作包含：
形成一填充层于该第一凹槽中；
移除该弧形相变化层的一顶部部分及该填充层的一顶部部分，以形成一第二凹槽；以及
形成该上电极于该第二凹槽中。
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