[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

说明书

本申请提供一种阵列基板及其制备方法，该方法通过在形成有薄膜晶体管的衬底基板表面形成一层烷基铝材料液；该烷基铝材料液与水蒸气发生化学反应，生成羟基氧化铝以及烷基气体，羟基氧化铝附着于衬底基板上形成羟基氧化铝薄膜，烷基气体经由反应室的抽气系统排出；之后在羟基氧化铝薄膜上形成氮化硅薄膜，从而形成羟基氧化铝薄膜与氮化硅薄膜复合结构的钝化层。本申请采用羟基氧化铝薄膜代替常规钝化层中的二氧化硅薄膜，从而较低能耗及成本，且能够解决H元素进入铟镓锌氧化物半导体层内影响器件性能的问题。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

由于IGZO(铟镓锌氧化物)具备较高的载流子迁移率，被认为是下一代TFT器件中较为理想的半导体层材料。但是IGZO本身不稳定，与H2O，O2的接触，以及H元素的过多掺杂会使得IGZO薄膜性能恶化，因此现阶段IGZO的PV层(钝化层)往往采用SiO2+SiNx的双层结构。现阶段制备SiO2薄膜主要采用CVD法制备；CVD成膜存在设备昂贵、能耗高(抽真空，加热)等一些列问题。更值得一提的是在现有的成膜过程(SiH4+N2O)中，硅烷中的H元素很容易进入IGZO膜层内，从而影响器件性能。

因此，现有技术存在缺陷，急需改进。

发明内容

本申请提供一种阵列基板及其制备方法，能够解决现有IGZO TFT的衬底基板制备钝化层时能耗以及成本较高，且H元素容易进入IGZO膜层内影响器件性能的问题。

为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：

本申请提供一种阵列基板的制备方法，所述方法包括以下步骤：

步骤S10，提供一衬底基板，所述衬底基板上制备有阵列分布的薄膜晶体管，将所述衬底基板放入反应室中，在所述衬底基板表面形成一层烷基铝材料液；

步骤S20，所述衬底基板表面的所述烷基铝材料液与空气中的水蒸气发生化学反应，生成羟基氧化铝以及烷基气体，所述羟基氧化铝附着于所述衬底基板上形成羟基氧化铝薄膜，所述烷基气体经由所述反应室的抽气系统排出；

步骤S30，将制备有所述羟基氧化铝薄膜的所述衬底基板移出所述反应室，在所述羟基氧化铝薄膜上形成氮化硅薄膜，所述羟基氧化铝薄膜与所述氮化硅薄膜形成钝化层。

在本申请的制备方法中，所述薄膜晶体管包括栅极、半导体层以及源漏极，其中，所述半导体层的材料为铟镓锌氧化物材料，且与所述羟基氧化铝薄膜接触。

在本申请的制备方法中，所述步骤S10具体包括以下步骤：

步骤S101，在基板上形成图案化的所述栅极，在所述栅极上依次制备栅绝缘层和铟镓锌氧化物层，并对所述铟镓锌氧化物层进行图案化形成所述半导体层，之后对所述半导体层对应所述源漏极的部分进行导体化。

在本申请的制备方法中，所述烷基铝材料液采用涂布或喷墨打印的方式形成于所述衬底基板上，所述衬底基板上的所述烷基铝材料液用于消耗所述铟镓锌氧化物材料表面残留的所述水蒸气，与所述水蒸气发生化学反应后生成所述羟基氧化铝以及所述烷基气体。

在本申请的制备方法中，所述烷基铝材料液中包括三甲基铝、三乙基铝中的一种或一种以上。

在本申请的制备方法中，所述步骤S20具体包括以下步骤：

步骤S201，所述衬底基板表面的所述烷基铝材料液与水蒸气发生化学反应，生成羟基氧化铝与甲烷气体和/或乙烷气体，所述羟基氧化铝附着于所述衬底基板上形成羟基氧化铝薄膜，所述甲烷气体和/或所述乙烷气体经由所述反应室的抽气系统排出。

在本申请的制备方法中，所述反应室还包括进气系统，通过所述进气系统向所述反应室内通入预设量的所述水蒸气。