[发明专利]一种嵌入式闪存的制作方法

权利要求书

1.一种嵌入式闪存存储器的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底定义有存储区、源线引出区和逻辑区；

形成于所述存储区衬底上的两个浮栅结构，形成于两个所述浮栅结构之间的衬底中的源线；

分别形成于两个所述浮栅结构顶部表面上第一侧墙，所述第一侧墙与所述浮栅结构组成浮栅叠层结构；

形成于两个所述浮栅叠层结构之间的衬底上的擦除栅结构；

分别形成于远离所述擦除栅结构的一侧的所述浮栅叠层结构的侧壁上的第二侧墙；

依次形成于所述存储区衬底全局表面上的字线介质层和字线材料层；

形成于所述源线引出区衬底上的两个所述第一侧墙，形成于所述两个第一侧墙之间的擦除栅，分别形成于远离所述擦除栅结构的一侧的所述第一侧墙侧壁上的第二侧墙；

依次形成于所述源线引出区衬底全局表面上的所述字线介质层和所述字线材料层；

形成于所述逻辑区衬底全局表面上的所述字线介质层和所述字线材料层；

形成第一光阻层，所述第一光阻层覆盖位于所述存储区上的所述字线材料层，并去除位于所述源线引出区和所述逻辑区上的所述字线介质层和字线材料层，暴露出所述源线引出区的衬底表面、第一侧墙、第二侧墙和擦除栅结构表面，以及暴露出所述逻辑区的衬底表面；

去除所述第一光阻层，形成第一栅氧层，所述第一栅氧层覆盖所述衬底的全局表面；

形成第二光阻层，所述第二光阻层在所述逻辑区上定义了用于形成高压器件的高压器件区和用于形成低压器件的低压器件区，所述第二光阻层覆盖位于所述存储区的所述第一栅氧层，还覆盖所述逻辑区的用于形成高压器件的区域，并以所述第二光阻层为掩膜去除位于所述源线引出区上的第一栅氧层，以及所述逻辑区上位于所述低压器件区衬底上的第一栅氧层；

形成第二栅氧层，所述第二栅氧层覆盖所述源线引出区的所述擦除栅结构表面，以及覆盖所述逻辑区的所述低压器件区的衬底表面，所述第一栅氧层厚度大于第二栅氧层厚度；

分别在所述逻辑区的所述第一栅氧层上形成第一栅极，在所述逻辑区的所述第二栅氧层上形成第二栅极；

形成第三光阻层，所述第三光阻层覆盖所述逻辑区上的所述第一栅氧层、第二栅氧层、第一栅极和第二栅极，并以所述第一栅氧层为掩膜对位于所述源线引出区上的第二栅氧层进行刻蚀，暴露出所述源线引出区上的所述擦除栅结构表面；

对所述字线材料层进行刻蚀，所述存储区的所述字线介质层上形成字线结构，暴露出所述源线引出区上的所述源线；以及在所述源线引出区上的暴露的所述源线上形成导电插栓。

2.如权利要求1所述的嵌入式闪存存储器的制作方法，其特征在于，所述第一栅氧层的厚度范围为120埃～220埃；所述第二栅氧层厚度范围为18埃～32埃。

3.如权利要求1所述的嵌入式闪存存储器的制作方法，其特征在于，所述高压器件的电压范围为4.5V～5.5V，所述低压器件的电压范围为1.2V～1.8V。

4.如权利要求3所述的嵌入式闪存存储器的制作方法，其特征在于，所述第一栅极为所述高压器件的栅极，所述第二栅极为所述低压器件的栅极。

5.如权利要求1所述的嵌入式闪存存储器的制作方法，其特征在于，形成所述源线的步骤包括：

在所述衬底的全局表面上依次形成浮栅叠层，氮化硅硬掩膜，通过光刻和刻蚀工艺定义出有源区，形成浅沟槽隔离结构后，去除氮化硅硬掩膜；

通过光刻工艺暴露出存储区，源线引出区，对暴露的部分所述浮栅叠层表面执行第一次离子注入工艺，以在所述衬底内形成离子掺杂阱区；

形成第一掩膜薄膜，所述第一掩膜薄膜覆盖所述存储区、所述源线引出区和所述逻辑区衬底上的浮栅叠层、以及覆盖暴露的部分所述衬底表面；

刻蚀位于所述存储区和所述源线引出区衬底上的所述第一掩膜薄膜，形成图案化的第一掩膜层，所述图案化的第一掩膜层中设有用于定义浮栅形成区的开口；

在所述开口内侧壁处形成所述第一侧墙；

以所述第一侧墙和所述图案化的第一掩膜层为掩膜，对位于所述存储区和所述源线引出区上的浮栅叠层进行刻蚀，暴露出所述衬底表面；对暴露出的所述衬底表面执行第二次离子注入工艺，以在所述衬底中形成源线。