[发明专利]一种高性能小型化单片集成的谐波混频器

权利要求书

1.一种高性能小型化单片集成的谐波混频器，其特征在于包括：

双频功分器，用于加载本振信号和射频信号，并输出合成的本振信号和射频信号；

二极管对，用于将合成的本振信号和射频信号进行混频得到中频信号；

隔直和匹配电路，用于将双频功分器合成的本振信号和射频信号加载到二极管对上；

低通滤波器，用于输出二极管对混频产生的中频信号。

2.根据权利要求1所述的高性能小型化单片集成的谐波混频器，其特征在于：所述双频功分器的工作频段涵盖射频信号频率和本振信号频率。

3.根据权利要求1所述的高性能小型化单片集成的谐波混频器，其特征在于：所述双频功分器的结构是根据具体指标需求进行设计成基于耦合线设计的双频功分器、基于电容电感电阻设计的集总双频功分器或者基于传输线设计的分布式双频功分器。

4.根据权利要求1所述的高性能小型化单片集成的谐波混频器，其特征在于：所述隔直和匹配电路的实现结构具体为单个电容，或电容电阻RC串联形式。

5.根据权利要求1所述的高性能小型化单片集成的谐波混频器，其特征在于：所述二极管对是反向并联的二极管对；合成的本振信号和射频信号通过隔直和匹配电路加载到二极管对的中间引脚上，通过二极管对的非线性进行混频；所述反向并联的二极管对的一端接地，提供直流及射频到地回路。

6.根据权利要求1所述的高性能小型化单片集成的谐波混频器，其特征在于：所述谐波混频器为二次谐波混频器、三次谐波混频器、四次谐波混频器或更高次谐波混频器中的一种。

7.根据权利要求1所述的高性能小型化单片集成的谐波混频器，其特征在于：所述谐波混频器的实现形式是基于硅基、锗硅或三五族化合物半导体材料体系实现，其集成形式是集成电路形式或者混合集成形式。