[发明专利]监控退火设备控温性能的方法

权利要求书

1.一种监控退火设备控温性能的方法，其特征在于，包括：

提供一监控晶圆，所述监控晶圆在退火前后的热波变化量与退火温度之间具有一线性关系；

测量退火前的所述监控晶圆的热波，得到第一热波值；

将所述监控晶圆放入监控的退火设备中，并在设定温度下进行退火；

取出所述监控晶圆，并测量退火后的所述监控晶圆的热波，得到第二热波值；

计算第一热波值和第二热波值的差值；

利用所述线性关系，获得与所述差值对应的实际退火温度；以及

通过所述设定温度与实际退火温度的偏离程度，判断监控的退火设备的控温性能；

其中，所述监控晶圆具有第一表面和第二表面，所述监控晶圆的第二表面上形成有低反射层；所述退火设备包括设置于所述第二表面一侧的两个温度探测头，所述两个温度探测头在退火过程中利用辐射式测温方式进行测温；在完成退火之后，通过监控的所述退火设备的日志文件获得对应的低反射率，通过所述低反射率判断监控的所述退火设备在低反射环境下的控温稳定性。

2.如权利要求1所述的监控退火设备控温性能的方法，其特征在于，所述设定温度的范围为400度至600度。

3.如权利要求1所述的监控退火设备控温性能的方法，其特征在于，在测量退火前的所述监控晶圆的热波之前，对所述监控晶圆的第一表面进行离子注入。

4.如权利要求3所述的监控退火设备控温性能的方法，其特征在于，所述离子注入采用的注入离子为铟离子，注入电压为115千伏至180千伏，离子注入浓度为5×10^-13个原子/cm²至8×10^-13个原子/cm²。

5.如权利要求3所述的监控退火设备控温性能的方法，其特征在于，所述低反射层包括在所述监控晶圆的所述第二表面上依次叠加形成的氧化层和多晶硅层。

6.如权利要求5所述的监控退火设备控温性能的方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为800埃至1200埃，所述多晶硅层的厚度为1500埃至2000埃。

7.如权利要求1所述的监控退火设备控温性能的方法，其特征在于，所述第一热波值为退火前对应所述监控晶圆表面多个不同位置测量得到的热波值的平均值，所述第二热波值为退火后对应所述监控晶圆表面多个不同位置测量得到的热波值的平均值。

8.如权利要求7所述的监控退火设备控温性能的方法，其特征在于，利用退火前和退火后所述热波值在晶圆上的分布，监控所述退火设备的加热均匀性。

9.如权利要求1所述的监控退火设备控温性能的方法，其特征在于，所述线性关系通过多个实测退火温度以及在所述多个实测退火温度下进行退火的热波变化量拟合获得。