[发明专利]良柔性三明治型PN结电存储器件有效
| 申请号： | 201910436704.6 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110137357B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 路建美;贺竞辉 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙周强;陶海锋 |
| 地址： | 215137 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 柔性 三明治 pn 存储 器件 | ||
1.良柔性三明治型PN结电存储器件，其特征在于，所述良柔性三明治型PN结电存储器件的制备方法包括以下步骤，将溶液旋涂在处理过的导电基底上，然后进行退火处理，制备PN结型电存储材料；而后在PN结型电存储材料上制备电极，得到良柔性三明治型PN结电存储器件；所述溶液由化合物A、PCBM与溶剂组成，化合物A的化学结构式如下：
。
2.根据权利要求1所述良柔性三明治型PN结电存储器件，其特征在于，PCBM为PC60BM；溶剂为氯苯；溶液的浓度为8～11 mg/mL；化合物A、PCBM的质量比为1∶0.1～10；所述导电基底为ITO玻璃。
3.根据权利要求1所述良柔性三明治型PN结电存储器件，其特征在于，退火处理的温度为40～100℃，时间为11～13小时。
4.根据权利要求1所述良柔性三明治型PN结电存储器件，其特征在于，采用镀铝的方式在PN结型电存储材料上制备电极，得到良柔性三明治型PN结电存储器件。
5.根据权利要求1所述良柔性三明治型PN结电存储器件，其特征在于，PN结型电存储材料厚度为80～300纳米。
6.良柔性PN结型电存储材料，其特征在于，所述良柔性PN结型电存储材料的制备方法包括以下步骤，将溶液旋涂在处理过的导电基底上，然后进行退火处理，制备良柔性PN结型电存储材料；所述溶液由化合物A、PCBM与溶剂组成，化合物A的化学结构式如下：
。
7.根据权利要求6所述良柔性PN结型电存储材料，其特征在于，PCBM为PC60BM；溶剂为氯苯；溶液的浓度为8～11 mg/mL；化合物A、PCBM的质量比为1∶0.1～10；退火处理的温度为40～100℃，时间为11～13小时。
8.根据权利要求6所述良柔性PN结型电存储材料，其特征在于，良柔性PN结型电存储材料的厚度为80～300纳米。
9.权利要求1所述良柔性三明治型PN结电存储器件在制备电存储器件中的应用。
10.权利要求6所述良柔性PN结型电存储材料在制备权利要求1所述良柔性三明治型PN结电存储器件中的应用。
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