[发明专利]一种实现任意线偏振光单向传输的光子晶体异质结构有效
| 申请号： | 201910436966.2 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110109199B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 费宏明;武敏;严帅;林翰;杨毅彪;张明达;刘欣;曹斌照;田媛 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | G02B1/00 | 分类号： | G02B1/00 |
| 代理公司： | 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人： | 任林芳 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 实现 任意 偏振光 单向 传输 光子 晶体 结构 | ||
1.一种实现任意线偏振光单向传输的光子晶体异质结构，其特征在于，包括衬底层和设置在衬底层上的二氧化硅基底（2）和硅基底（3），所述二氧化硅基底（2）和硅基底（3）分别设置在异质结界面（1）两侧；所述二氧化硅基底（2）内周期性填充有多个呈正方形排列且排列方向平行于异质结界面（1）的硅圆柱（4），形成第一光子晶体，所述硅圆柱（4）的轴向与二氧化硅基底（2）平面垂直；所述硅基底（3）内周期性填充有多个呈正方形排列的二氧化硅圆柱（5），形成第二光子晶体，二氧化硅圆柱（5）的轴向与硅基底（3）平面垂直；光线从第一光子晶体一侧入射，入射方向与所述异质结界面（1）呈45°夹角，所述第一光子晶体的晶格常数为a1=424 nm，硅圆柱（4）的半径为r1=60 nm，所述第二光子晶体的晶格常数a2=600 nm，二氧化硅圆柱（5）的半径r2 =140 nm。
2.根据权利要求1所述的一种实现任意线偏振光单向传输的光子晶体异质结构，其特征在于，所述二氧化硅基底（2）和二氧化硅圆柱（5）的折射率为1.495，硅基底（3）和硅圆柱（4）的折射率为3.48。
3.根据权利要求1所述的一种实现任意线偏振光单向传输的光子晶体异质结构，其特征在于，所述二氧化硅基底（2）和硅基底（3）的厚度均为1500 nm。
4.根据权利要求1所述的一种实现任意线偏振光单向传输的光子晶体异质结构，其特征在于，所述衬底层为二氧化硅材料，其厚度大于1000nm。
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