[发明专利]一种双面封装的工艺方法

说明书

本发明涉及一种双面封装的工艺方法，所述方法包括以下步骤：步骤一、在基板正面贴装元件或芯片；步骤二、对基板正面进行包封；步骤三、在基板背面贴装元件或芯片；步骤四、通过包封模具对基板背面植球同时进行包封；步骤五、完成包封，升起包封模具，进行回流焊及后固化；步骤六、切割成单颗产品。本发明一种双面封装的工艺方法，可以同时植球和包封，简化工艺流程，提高生产效率。

技术领域

本发明涉及一种双面封装的工艺方法，属于半导体封装技术领域。

背景技术

随着技术的发展，双面封装(更节约手机内部空间)已成为趋势，现有双面封装背面的工艺流程为先植球再包封，通过减薄和镭射打孔将球露出，再通过回流将球成型，再与最终的PCB板相连，具体流程如下：

步骤一、基板的正面贴装元件或芯片；

步骤二、基板的正面进行包封，保护元件或芯片；

步骤三、在基板的背面进行植球，然后回流焊；再在基板的背面贴装元件；

步骤四、对基板的背面进行包封，塑封体的高度大于元件和锡球高度；

步骤五、包封完成后，对基板的背面研磨减薄，让锡球表面露出；

步骤六、对基板的背面进行镭射打孔，在锡球周围镭射钻孔，为了给球一定的空间，方便后续的再成型；

步骤七、锡球再次成型，让锡球再次回流成型，突出于塑封体表面一定高度，方便终端上板；

步骤八、将基板切割成单颗产品。

目前的技术缺陷有以下几点：

1、整条基板进行镭射作业时，由于基板涨缩的程度不同，难以准确调整镭射位置的偏移量。当存在较大偏移时，影响球的再次成型，最终影响和PCB板的电性连接；

2、镭射钻孔时激光会打到球，让球部分融化或全部融化，可能存在塑封料的碎屑被包进锡球中，对后续可靠性存在一定风险；

3、锡球再成型时，由于锡球被减薄掉一部分，加上镭射的偏移量，可能成型高度较低或高度不均匀，无法较好的与最终PCB板相连；

4、植球站别中，可能会出现大小球，桥接等问题，需要返工重新植球，浪费时间和效率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种双面封装的工艺方法，它可以同时植球和包封，简化工艺流程，提高生产效率。

本发明解决上述问题所采用的技术方案为：一种双面封装的工艺方法，所述方法包括以下步骤：

步骤一、在基板正面贴装元件或芯片；

步骤二、对基板正面进行包封；

步骤三、在基板背面贴装元件或芯片；

步骤四、通过包封模具对基板背面植球同时进行包封；

步骤五、完成包封，升起包封模具，进行回流焊及后固化；

步骤六、将完成双面包封的基板切割成单颗产品。

更进一步的，步骤四中包封模具设置有多个大金属罩，大金属罩内部设置有小金属罩，小金属罩内接通吸真空装置。

更进一步的，单个大金属罩的位置对应基板上单个需要植球的焊垫，大金属罩的尺寸大于焊垫区域的尺寸。

更进一步的，包封作业前包封模具先伸长小金属罩真空吸取锡球，将锡球焊接在需植球的焊垫上，之后小金属罩收回大金属罩内，包封模具下压直至大金属罩整个罩住锡球及焊垫区域，接触到基板的背面，此时再进行包封作业。

与现有技术相比，本发明的优点在于：