[发明专利]一种双面钝化接触的P型高效电池及其制备方法

权利要求书

1.一种双面钝化接触的P型高效电池，包括P型单晶硅(1)，其特征在于：所述P型单晶硅(1)正面设置有N型发射极(4)，所述N型发射极(4)远离P型单晶硅(1)设置有正面超薄氧化硅层(2)，所述正面超薄氧化硅层(2)上方设置有N型多晶硅层(3)，且正面超薄氧化硅层(2)同一平面的两侧设置有氧化层(5)，所述N型多晶硅层(3)和氧化层(5)上方设置有SiNx减反射层(8)，且N型多晶硅层(3)上设置有Ag栅线(9)，所述Ag栅线(9)穿过SiNx减反射层(8)连接于N型多晶硅层(3)上；

所述P型单晶硅(1)背面设置有背面超薄氧化硅层(6)，所述背面超薄氧化硅层(6)远离P型单晶硅(1)一侧设置有P型多晶硅层(7)，所述P型多晶硅层(7)下方设置有Al背场(10)。

2.一种双面钝化接触的P型高效电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、清洗制绒：将P型单晶硅(1)经清洗后制备特殊绒面结构，控制P型单晶硅(1)表面反射率在9-11％；

S2、正面多晶硅制备：在已制备出绒面的P型单晶硅(1)正面制备一层正面超薄氧化硅层(2)和一层N型多晶硅层(3)，正面超薄氧化硅层(2)的厚度控制在1-2nm，其采用热HNO₃溶液氧化或干法氧化法制备，N型多晶硅层(3)的厚度控制在30-50nm，其采用PECVD法制备；

S3、制备掩膜：在N型多晶硅层(3)表面用网版印刷法制备一层掩膜，掩膜的图形与Ag栅线(9)图形一致；

S4、刻蚀：使用HNO₃与HF的混合溶液，对硅片正面进行刻蚀，去除非掩膜区域的正面超薄氧化硅层(2)和N型多晶硅层(3)，随后去除掩膜；

S5、扩散：在硅片的正面进行高温扩散，形成N型发射极(4)；

S6、清洗：去除扩散形成的磷硅玻璃和边缘PN结；

S7、退火：在硅片的正面超薄氧化硅层(2)平面上形成氧化层(5)；

S8、背面多晶硅层制备：在P型单晶硅(1)的背面制备一层背面超薄氧化硅层(6)和一层P型多晶硅层(7)，背面超薄氧化硅层(6)的厚度控制在1-2nm，其采用热HNO₃溶液氧化或干法氧化法制备，P型多晶硅层(7)的厚度控制在30-50nm，其采用PECVD法制备；

S9、正面SiNx减反射层(8)制备：在硅片正面以PECVD法制备SiNx减反射层(8)，控制厚度在60-90nm、折射率在2.08-2.12；

S10、印刷：在正面的N型多晶硅层(3)上印刷Ag栅线(9)，并在背面的P型多晶硅层(7)上印刷Al背场(10)。

3.根据权利要求2所述的一种双面钝化接触的P型高效电池的制备方法，其特征在于：绒面结构包括金字塔形和倒金字塔形。

4.根据权利要求2所述的一种双面钝化接触的P型高效电池的制备方法，其特征在于：步骤S4中，所使用的HNO₃与HF浓度比为45％-50％：6％-8％。