[发明专利]具有带单元的半导体器件

说明书

提供了具有带单元的半导体器件，半导体器件包括第一阱，具有第一导电类型并且沿着第一方向延伸；第二阱和第三阱，具有第二导电类型并且在第二方向上设置在第一阱的相对侧上；位单元的第一阵列和位单元的第二阵列，设置在第一阱至第三阱上方；带单元，设置在第一阱至第三阱上并且设置在第一阵列和第二阵列之间，包括第一阱拾取区域和第二阱拾取区域，具有第一带电类型，设置在第一阱上，在第一方向上彼此分隔开，以及第三阱拾取区域和第四阱拾取区域，具有第二导电类型并且分别设置在第二阱和第三阱上；第一导电图案和第二导电图案，分别电连接至第一阱拾取区域和第二阱拾取区域；以及第三导电图案，电连接至第三阱拾取区域和第四阱拾取区域。

技术领域

本发明的实施例一般地涉及半导体技术领域，更具体地，涉及具有带单元的半导体器件。

背景技术

在诸如静态随机存取存储器(SRAM)的半导体器件中，多个位单元或多个位单元的阵列在列方向上延伸，带单元设置在多个位单元或多个位单元的阵列之间并且包括形成在阱中的阱拾取区域。带单元用于电压拾取并且提供阱偏压，从而防止沿着列方向的电压降落。

发明内容

根据本发明的一方面，提供了一种半导体器件，包括：第一阱，具有第一导电类型并且沿着第一方向延伸；第二阱和第三阱，具有第二导电类型并且在第二方向上设置在所述第一阱的相对侧上；位单元的第一阵列和位单元的第二阵列，设置在所述第一阱至所述第三阱上方；带单元，设置在所述第一阱至所述第三阱上方并且设置在所述第一阵列和所述第二阵列之间，所述带单元包括：第一阱拾取区域和第二阱拾取区域，具有所述第一导电类型并且设置在所述第一阱上方并且在所述第一方向上彼此分隔开，所述第一阱拾取区域和所述第二阱拾取区域的掺杂浓度大于所述第一阱的掺杂浓度；以及第三阱拾取区域和第四阱拾取区域，具有不同于所述第一导电类型的所述第二导电类型，并且分别设置在所述第二阱和所述第三阱上方，以及在所述第二方向上彼此分隔开，所述第三阱拾取区域和所述第四阱拾取区域的掺杂浓度大于所述第二阱和所述第三阱的掺杂浓度；第一导电图案和第二导电图案，分别电连接至所述第一阱拾取区域和所述第二阱拾取区域并且在所述第一阱拾取区域和所述第二阱拾取区域上方延伸；以及第三导电图案，电连接至所述第三阱拾取区域和所述第四阱拾取区域并且在所述第三阱拾取区域和所述第四阱拾取区域上方延伸。

根据本发明的另一方面，提供了一种半导体器件，包括：第一阱和第二阱，具有第一导电类型并且在第一方向上彼此分隔开；第三阱，具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，并且包括设置在所述第一阱和所述第二阱的一侧上的第一部分、设置在所述第一阱和所述第二阱的另一侧上的第二部分、以及将所述第一部分和所述第二部分彼此连接并且设置在所述第一阱和所述第二阱之间的第三部分；位单元的第一阵列，设置在所述第一阱和所述第三阱的第一部分和第二部分上方；位单元的第二阵列，设置在所述第二阱和所述第三阱的第一部分和第二部分上方；带单元，设置在所述第一阱、所述第二阱、和所述第三阱上方并设置在所述第一阵列和所述第二阵列之间，所述带单元包括：第一阱拾取区域和第二阱拾取区域，具有所述第一导电类型，分别设置在所述第一阱和所述第二阱上方，并且在所述第一方向上彼此分隔开，所述第一阱拾取区域和所述第二阱拾取区域的掺杂浓度大于所述第一阱和所述第二阱的掺杂浓度；以及第三阱拾取区域，具有所述第二导电类型，设置在所述第三阱上方并且设置在所述第一阱拾取区域和所述第二阱拾取区域之间，所述第三阱拾取区域的掺杂浓度大于所述第三阱的掺杂浓度；第一导电图案和第二导电图案，电连接至所述第一阱拾取区域和所述第二阱拾取区域，并且分别在所述第一阱拾取区域和所述第二阱拾取区域上方延伸；以及第三导电图案，电连接至所述第三阱拾取区域，并且在所述第三阱拾取区域上方延伸。