[发明专利]集成芯片及其形成方法

权利要求书

1.一种集成芯片，包括：

衬底；

互连结构，邻接所述衬底，其中，所述互连结构包括多条导线和多个通孔，并且其中，所述导线和所述通孔交替堆叠；

焊盘，位于所述互连结构中，其中，所述导线和所述通孔位于所述焊盘和所述衬底之间；以及

导电结构，穿过所述衬底延伸至所述焊盘，

其中，自横截面观察，所述导线和所述通孔限定分别位于所述焊盘相对两侧的第一导电柱和第二导电柱，自横截面观察，所述焊盘具有一对突起，所述一对突起分别位于所述焊盘相对两侧，并且所述一对突起分别向上突出至所述第一导电柱和所述第二导电柱。

2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述导电结构包括接触所述焊盘的接合线。

3.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述导电结构包括与所述焊盘接触的导电凸块。

4.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述第一导电柱和所述第二导电柱邻接所述焊盘，并且其中，所述导电结构位于所述第一导电柱和所述第二导电柱之间。

5.根据权利要求4所述的集成芯片，其中，所述导线被分组为多个导线层级，包括第一导线层级和第二导线层级，其中，所述焊盘突出以在所述第一导线层级处与所述第一导电柱和所述第二导电柱接触，并且其中，所述第一导线层级具有大于所述第二导线层级的厚度。

6.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述互连结构还包括具有互连介电侧壁的互连介电层，并且其中，所述集成芯片还包括：

隔离结构，延伸到所述衬底中、位于所述衬底和所述互连结构之间，其中，所述隔离结构包括介电材料并且具有隔离结构侧壁，并且其中，所述隔离结构侧壁与所述互连介电侧壁对准并且面向所述导电结构。

7.根据权利要求1所述的集成芯片，还包括：

像素传感器，位于所述衬底上、位于所述衬底和所述互连结构之间，其中，所述像素传感器包括位于所述衬底中的光电检测器，并且其中，所述导线和所述通孔限定从所述像素传感器延伸的导电路径。

8.根据权利要求1所述的集成芯片，还包括：

第二衬底；

第二互连结构，邻接所述第二衬底、位于所述互连结构与所述第二衬底之间，其中，所述第二互连结构包括多条第二导线和多个第二通孔，并且其中，所述第二导线和所述第二通孔交替堆叠；以及

第一衬底通孔(TSV)，延伸穿过所述衬底和所述互连结构到所述第二导线中的一条。

9.根据权利要求8所述的集成芯片，还包括：

第二衬底通孔，延伸穿过所述衬底和所述互连结构到所述第二导线中的一条，其中，所述导电结构位于所述第一衬底通孔和所述第二衬底通孔之间。

10.根据权利要求8所述的集成芯片，其中，当在横截面中观察时，所述第二导线和所述第二通孔限定第一导电柱和第二导电柱，其中，所述第一导电柱和所述第二导电柱从所述第二导线中的所述一条延伸到所述第二衬底，并且其中，所述导电结构横向地位于所述第一导电柱和所述第二导电柱之间。

11.一种集成芯片，包括：

钝化层；

焊盘，位于所述钝化层上面并且嵌入所述钝化层；

导电柱，位于所述焊盘上面并且接触所述焊盘，其中，所述导电柱在第一闭合路径中沿着所述焊盘的外周横向延伸，并且其中，所述导电柱包括交替堆叠的导线和通孔；

半导体衬底，位于所述导电柱上面；以及

导电结构，穿过所述半导体衬底和所述导电柱延伸到所述焊盘，

其中，交替堆叠的所述导线和所述通孔包括第一层级导线和第二层级导线，其中，所述第一层级导线接触所述焊盘并且具有第一厚度，并且其中，所述第二层级导线位于所述第一层级导线上面并且具有小于所述第一厚度的第二厚度。