[发明专利]TFT基板和包括该TFT基板的显示装置有效
申请号: | 201910438971.7 | 申请日: | 2019-05-24 |
公开(公告)号: | CN110534528B | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
发明(设计)人: | 申东菜;柳元相;孙庚模 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | tft 包括 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管基板,包括:
基板;以及
在所述基板上的薄膜晶体管,
其中,所述薄膜晶体管包括:
有源图案层,所述有源图案层由多晶硅制成,所述有源图案层包括沟道部分、源极部分和漏极部分,并且所述有源图案层包括在晶粒之间的边界处形成的突起和在所述突起之间形成的凹陷空间;
阻挡图案膜,所述阻挡图案膜填充所述凹陷空间,与所述突起一起形成平面;
栅极绝缘层,所述栅极绝缘层在所述阻挡图案膜和所述突起上;
栅极,所述栅极在所述栅极绝缘层上,与所述沟道部分相对应;以及
源极和漏极,所述源极和所述漏极在所述栅极绝缘层上,分别与所述源极部分和所述漏极部分接触,
连接图案层,至少一个绝缘层插设在所述连接图案层与第一金属图案层和第二金属图案层中的每一者之间,所述连接图案层电连接所述第一金属图案层和所述第二金属图案层,所述连接图案层由掺杂有杂质的多晶硅制成并且具有另外的突起和另外的凹陷空间,并且
其中,所述连接图案层的所述另外的凹陷空间填充有另外的阻挡图案膜。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其中,所述栅极绝缘层直接接触所述阻挡图案膜和所述突起。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,所述薄膜晶体管进一步包括:
钝化层,所述钝化层在所述栅极上并且在所述源极和所述漏极下方,
其中,所述钝化层和所述栅极绝缘层包括分别暴露所述源极部分和所述漏极部分的第一接触孔和第二接触孔,并且
其中,所述源极部分的在所述第一接触孔下方的部分和所述漏极部分的在所述第二接触孔下方的部分处的所述阻挡图案膜被去除。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其中,所述栅极绝缘层的在所述阻挡图案膜和所述突起上的部分是平坦的。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基板,其中,所述栅极是平坦的。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其中,所述栅极绝缘层延伸为覆盖所述有源图案层的侧表面。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其中,所述基板包括设置有多个像素区域的有源区域,并且
其中,所述薄膜晶体管形成在所述多个像素区域中的一个中。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管基板,其中,所述基板包括围绕所述有源区域的非有源区域,并且
其中,另一个薄膜晶体管形成在所述非有源区域中的驱动电路中。
9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,进一步包括:
连接所述第一金属图案层和所述连接图案层的第一连接电极;以及
连接所述第二金属图案层和所述连接图案层的第二连接电极,
其中,所述连接图案层的在第一连接接触孔下方的部分及所述连接图案层的在第二连接接触孔下方的部分处的所述另外的阻挡图案膜被去除,其中,所述第一连接电极通过所述第一连接接触孔接触所述连接图案层,并且所述第二连接电极通过所述第二连接接触孔接触所述连接图案层。
10.一种显示装置,包括:
根据权利要求1至9中任一项所述的薄膜晶体管基板。
11.根据权利要求10所述的显示装置,进一步包括:
第一电极,所述第一电极连接到所述薄膜晶体管的所述漏极;在所述第一电极上的有机发光层;以及
在所述有机发光层上的第二电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的