[发明专利]用于补偿感测放大器失配的电路、及补偿电路失配的方法有效

专利信息
申请号: 201910439139.9 申请日: 2019-05-24
公开(公告)号: CN110534138B 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 林谷峰;池育德;史毅骏;李嘉富 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06;G11C7/08
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 用于 补偿 放大器 失配 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种用于补偿感测放大器失配的电路,包括:

第一支路,包括第一晶体管、第二晶体管、和耦合在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的第一节点;

第二支路,包括第三晶体管、第四晶体管、和耦合在所述第三晶体管和所述第四晶体管之间的第二节点,其中,所述第一节点耦合至所述第三晶体管和所述第四晶体管的各自栅极,并且所述第二节点耦合至所述第一晶体管和所述第二晶体管的各自栅极;

多个第一修正晶体管,其中,所述多个第一修正晶体管彼此并联耦合并且与所述第二晶体管并联耦合;以及

多个第二修正晶体管,其中,所述多个第二修正晶体管彼此并联耦合并且与所述第四晶体管并联耦合。

2.根据权利要求1所述的电路,其中:

所述多个第一修正晶体管中的每个能够选择性地导通以降低流经所述第一支路的电流的第一信号等级;以及

所述多个第二修正晶体管中的每个能够选择性地导通以降低流经所述第二支路的电流的第二信号等级。

3.根据权利要求1所述的电路,其中,

所述多个第一修正晶体管中的每个当独立地导通时,将流经所述第一支路的电流的第一信号等级降低了第一百分比;以及

所述多个第二修正晶体管中的每个当独立地导通时,将流经所述第二支路的电流的第二信号等级降低了第二百分比。

4.根据权利要求3所述的电路,其中:

所述多个第一修正晶体管包括第一数量的导通的修正晶体管,第一数量的导通的修正晶体管配置为降低流经所述第一支路的电流的第一信号等级,以补偿流经所述第一节点和所述第二节点的电流之间的失配。

5.根据权利要求4所述的电路,其中,

所述失配指示流经所述第一节点的电流比流经所述第二节点的电流更强;以及

基于所述第一百分比和所述失配来确定所述第一数量。

6.根据权利要求3所述的电路,其中,

所述多个第二修正晶体管包括第二数量的导通的修正晶体管,所述第二数量的导通的修正晶体管配置为降低流经所述第二支路的电流的第二信号等级,以补偿流经所述第一节点和所述第二节点的电流之间的失配。

7.根据权利要求6所述的电路,其中,

所述失配指示流经所述第二节点的电流比流经所述第一节点的电流更强;以及

基于所述第二百分比和所述失配来确定所述第二数量。

8.根据权利要求2所述的电路,还包括:

第一存储器位单元;

第二存储器位单元;

第一箝位晶体管,耦合至所述第一存储器位单元;以及

第二箝位晶体管,耦合至所述第二存储器位单元,其中,所述电流的第一信号等级配置为用作感测放大器的单元信号,并且所述电流的第二信号等级配置为用作所述感测放大器的参考信号。

9.根据权利要求1所述的电路,其中,

所述第二晶体管和所述多个第一修正晶体管形成在晶圆的相同部分中;以及

所述第四晶体管和所述多个第二修正晶体管形成在所述晶圆的相同部分中。

10.一种用于补偿感测放大器失配的电路,包括:

第一存储器位单元;

第二存储器位单元;

第一支路,包括耦合至所述第一存储器位单元的第一箝位晶体管和第一节点,其中,第一电流配置为流经所述第一节点和所述第一箝位晶体管;

第二支路,包括耦合至所述第二存储器位单元的第二箝位晶体管和第二节点,其中,第二电流配置为流经所述第二节点和所述第二箝位晶体管;

多个第一修正晶体管,其中,所述多个第一修正晶体管彼此并联耦合并且与所述第一箝位晶体管并联耦合;以及

多个第二修正晶体管,其中,所述多个第二修正晶体管彼此并联耦合并且与所述第二箝位晶体管并联耦合。

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