[发明专利]一种测量垂直结构功率器件阻断电压的装置

说明书

本发明公开了一种测量垂直结构功率器件阻断电压的装置，包括阴极钼片、第一缓冲银片和阳极钼片；阴极钼片、第一缓冲银片和阳极钼片从上到下垂直分布，构成层叠结构；待测的垂直结构功率器件位于第一缓冲银片和阳极钼片之间；第一缓冲银片与垂直结构功率器件阴极接触，阳极钼片与垂直结构功率器件阳极接触；阴极钼片作为垂直结构功率器件阴极的外部接触端子；阳极钼片作为垂直结构功率器件阳极的外部接触端子。本发明针对无引出端子的裸芯片结构，通过堆叠的多层金属结构将电极引出，避免了测试压力对金属表面的破坏，且测过程简单，成本低，可靠性高。

技术领域

本发明属于芯片特性测试技术领域，更具体地，涉及一种测量垂直结构功率器件阻断电压的装置。

背景技术

任何功率器件都具有一定的电压阻断能力，这些器件往往需要在出厂后做阻断能力测试，以得到该器件的最大承受电压参数；另一方面，在器件表面金属不符合封装要求时往往需要芯片的二次处理，这些过程很容易影响器件的阻断能力，因此在器件封装之前必须对器件的阻断能力进行测试。为了追求更高的电压阻断能力，功率器件一般被做成垂直结构来形成足够宽的漂移区以承受高压。这种结构意味着阳极和阴极必须设计在漂移区的两侧，需要在芯片的背面和正面分别加正负测试端，但是这种无封装的芯片级测量无法外接端子，使得测量端子无法固定在芯片电极上。特别地，对于具有控制端的三端器件在测量阻断电压时，控制端需要与阴极短路以防止出现大的漏电流，因此需要对位于同一侧的控制极和阴极设置外部短路结构，增加了阻断测试的复杂性。

三端器件阻断测试过程为：首先将控制极和阴极短接，然后将阳极和阴极分别接到阻断测试设备的正负极，逐渐增加测试电压，然后检测阳极与阴极漏电流变化，该漏电流超过规定限值后切断测试电压，切断时刻的电压值就是器件的阻断电压。常用的器件阻断能力测试方法主要是利用高压探针台的探针分别扎在相应的芯片表面金属上来实现，但是该方法用的探针台价格昂贵，适用于工业生产应用；同时该方法需要复杂的机械对准过程，测试繁琐；此外，在测试时尖锐的探针结构会不同程度地破坏芯片表面的金属化结构，可能影响封装时的焊接性能。

总体而言，现有的阻断电压测试方法存在操作过程繁琐，成本高，且会对芯片表面金属化结构造成破坏的问题。

发明内容

针对现有技术的缺陷，本发明提供了一种测量垂直结构功率器件阻断电压的装置，目的在于解决现有利用高压探针台的阻断电压测试方法存在测试繁琐，且会对芯片表面金属化结构造成破坏的问题。

为实现上述目的，本发明提供的一种测量垂直结构功率器件阻断电压的装置，包括阴极钼片、第一缓冲银片和阳极钼片；

所述阴极钼片、第一缓冲银片和阳极钼片从上到下垂直分布，构成层叠结构；

待测的垂直结构功率器件位于所述第一缓冲银片和所述阳极钼片之间；

所述第一缓冲银片与所述垂直结构功率器件阴极接触，所述阳极钼片与所述垂直结构功率器件阳极接触；

所述阴极钼片作为所述垂直结构功率器件阴极的外部接触端子；

所述阳极钼片作为所述垂直结构功率器件阳极的外部接触端子。

进一步地，所述第一缓冲银片不覆盖所述垂直结构功率器件终端区域。

本发明中，第一缓冲银片用于为垂直结构功率器件的阻断电压测试提供短路结构，满足阻断电压测试的基本要求，与此同时，第一缓冲银片不覆盖功率器件终端区域的有益效果为：避免测试压力对功率器件的终端结构造成破坏，同时避免功率器件阳极到阴极爬电距离缩短。

优选地，第一缓冲银片厚度为0.3mm。