[发明专利]溶液法生长大尺寸碳化硅晶体的搅拌缓流装置以及设备有效
| 申请号： | 201910439746.5 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110106548B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 刘博涛;高冰;唐霞;于越 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C30B19/00 | 分类号： | C30B19/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 俞琳娟 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溶液 生长 尺寸 碳化硅 晶体 搅拌 缓流 装置 以及 设备 | ||
1.一种碳化硅晶体生长设备，其特征在于，包括：
盛液容器，用于盛装晶体生长用的液态原料；和
搅拌缓流装置，包括搅拌器和缓流片，所述缓流片安装在所述搅拌器的搅拌杆的底部，并且伸入所述盛液容器内的所述液态原料中，所述缓流片的底面用于安装碳化硅籽晶，并且所述缓流片的外径为所述籽晶外径的1.2倍以上。
2.一种溶液法生长大尺寸碳化硅晶体的搅拌缓流装置，其特征在于，包括：
搅拌器，包含：搅拌杆，和驱动该搅拌杆进行搅拌的驱动单元；以及
缓流片，安装在所述搅拌器的搅拌杆的底部，并且伸入所述盛液容器内的所述液态原料中，底面用于安装碳化硅籽晶，并且外径为所述籽晶外径的1.3倍以上。
3.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长设备或权利要求2所述的溶液法生长大尺寸碳化硅晶体的搅拌缓流装置，其特征在于：
其中，所述缓流片的厚度至少为所述碳化硅籽晶厚度的4倍。
4.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长设备或权利要求2所述的溶液法生长大尺寸碳化硅晶体的搅拌缓流装置，其特征在于：
其中，所述缓流片的外径为所述籽晶外径的1.4～1.8倍。
5.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长设备或权利要求2所述的搅拌缓流装置，其特征在于：
其中，所述缓流片的外径为所述籽晶外径的1.6倍。
6.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长设备或权利要求2所述的搅拌缓流装置，其特征在于：
其中，所述缓流片为石墨片。
7.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长设备或权利要求2所述的搅拌缓流装置，其特征在于：
其中，所述搅拌器设置的高度应保证所述籽晶浸入溶液下2mm～5mm，并且所述缓流片的浸没深度不超过该缓流片的厚度。
8.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长设备或权利要求2所述的的搅拌缓流装置，其特征在于：
其中，搅拌缓流装置还包括设置在所述缓流片底面上的平坦化层，
所述籽晶粘贴在所述平坦化层上。
9.根据权利要求8所述的碳化硅晶体生长设备或权利要求2所述的的搅拌缓流装置，其特征在于：
其中，所述平坦化层为石墨平坦化层。
10.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长设备或权利要求2所述的搅拌缓流装置，其特征在于：
其中，所述搅拌缓流装置包括多个不同尺寸的所述缓流片，
并且所述搅拌杆的底部与所述缓流片通过螺纹相连。
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