[发明专利]一种旋转支撑装置及MOCVD系统在审
申请号: | 201910439754.X | 申请日: | 2019-05-24 |
公开(公告)号: | CN111979528A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 马亮;贾蕾 | 申请(专利权)人: | 东泰高科装备科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/46 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 苗青盛;魏雪梅 |
地址: | 102209 北京市昌平*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 旋转 支撑 装置 mocvd 系统 | ||
1.一种旋转支撑装置,其特征在于:包括旋转平台和固定轴,所述旋转平台包括支撑平板和连接端,所述旋转平台与驱动装置连接,所述连接端的侧壁设有至少一个第一电极,所述固定轴为管状,所述固定轴同轴设置于所述连接端外侧,所述固定轴的内壁设有至少一个环状的第二电极,一个所述第二电极与一个所述第一电极对应,每个所述第二电极与其对应的所述第一电极保持电连接。
2.根据权利要求1所述的旋转支撑装置,其特征在于:还包括多个固定件,所述第一电极通过所述固定件与所述连接端绝缘连接,和/或,所述第二电极通过所述固定件与所述固定轴绝缘连接。
3.根据权利要求2所述的旋转支撑装置,其特征在于:所述固定件包括绝缘件和接头,所述绝缘件固定于所述连接端的侧壁和所述固定轴的内壁上,所述接头固定于所述第一电极和所述第二电极上,且所述接头嵌入所述绝缘件内。
4.根据权利要求1所述的旋转支撑装置,其特征在于:所述连接端沿其轴向设有第一走线孔,所述第一走线孔贯通所述支撑平板,所述连接端上还设有与所述第一电极一一对应设置的第二走线孔,所述第二走线孔的一端贯通至所述第一电极,另一端与所述第一走线孔连通。
5.根据权利要求1所述的旋转支撑装置,其特征在于:所述第一电极与所述第二电极接触的一端为弧形,所述第一电极的弧形的半径与环形的第二电极的内径相等。
6.根据权利要求1所述的旋转支撑装置,其特征在于:多个所述第一电极沿所述连接端的轴向分布,且相邻的两个所述第一电极之间具有间隙。
7.根据权利要求1所述的旋转支撑装置,其特征在于:所述固定轴的端部通过磁流体与所述连接端密封。
8.一种MOCVD系统,其特征在于:包括反应腔室、加热装置、驱动装置和如权利要求1-7任一项所述的旋转支撑装置,所述支撑平板位于所述反应腔室内,所述连接端的一端与所述支撑平板连接,所述连接端的另一端穿过所述反应腔室与所述驱动装置驱动连接,所述加热装置设置于所述支撑平板上,所述第一电极通过引线与所述加热装置连接。
9.根据权利要求8所述的MOCVD系统,其特征在于:所述加热装置包括多段加热组件,所述多段加热组件与所述第一电极连接。
10.根据权利要求8所述的MOCVD系统,其特征在于:所述反应腔室通过磁流体与所述连接端密封,所述连接端的下端通过磁流体与所述驱动装置密封。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的