[发明专利]高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料化学镀镍层的制备方法在审
申请号: | 201910440230.2 | 申请日: | 2019-05-24 |
公开(公告)号: | CN110172687A | 公开(公告)日: | 2019-08-27 |
发明(设计)人: | 冯立;刘云彦;李思振;崔庆新;白晶莹;李家峰;徐俊杰;关宏伟 | 申请(专利权)人: | 北京卫星制造厂有限公司 |
主分类号: | C23C18/36 | 分类号: | C23C18/36;C23C18/18 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 张丽娜 |
地址: | 100190*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碳化硅颗粒增强铝基复合材料 制备 高体积分数 化学镀镍层 表面工程技术 复合材料表面 复合材料结构 大功率微波 相控阵天线 表面活性 焊接性能 基体材料 复合材料 航天器 等高 宇航 电源 | ||
1.高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料化学镀镍层的制备方法,其特征在于该方法的步骤包括:
1)采用无水乙醇擦拭高体分SiCp/Al复合材料表面;
2)将步骤1)得到的高体分SiCp/Al复合材料的表面进行化学除油,化学除油溶液配方及操作条件如下:
化学除油完成后将高体分SiCp/Al复合材料从溶液中取出;
3)将步骤2)得到的高体分SiCp/Al复合材料表面上的残留溶液用水清洗;
4)将步骤3)得到的高体分SiCp/Al复合材料的表面进行出光,出光溶液配方及操作条件如下:
硝酸 300g/L~500g/L
溶液温度 室温
持续时间 30s~60s
出光完成后将高体分SiCp/Al复合材料从溶液中取出;
5)将步骤4)得到的高体分SiCp/Al复合材料表面上的残留溶液用水清洗;
6)将步骤5)得到的高体分SiCp/Al复合材料进行化学氧化处理,化学氧化溶液配方及操作条件如下:
化学氧化完成后将高体分SiCp/Al复合材料从溶液中取出;
7)将步骤6)得到的高体分SiCp/Al复合材料表面上的残留溶液用水清洗;
8)将步骤7)得到的高体分SiCp/Al复合材料浸入硅烷偶联剂乙醇水溶液中进行硅烷化处理,溶液配方及操作条件如下:
硅烷化完成后将高体分SiCp/Al复合材料从溶液中取出;
9)将步骤8)得到的高体分SiCp/Al复合材料表面上的残留溶液用水清洗;
10)将步骤9)得到的高体分SiCp/Al复合材料浸入SnCl2溶液中进行敏化处理,敏化溶液配方及操作条件如下:
敏化完成后将高体分SiCp/Al复合材料从溶液中取出;
11)将步骤10)得到的高体分SiCp/Al复合材料表面上的残留溶液用水清洗;
12)将步骤11)得到的高体分SiCp/Al复合材料浸入PdCl2溶液中进行活化处理,活化溶液配方及操作条件如下:
活化完成后将高体分SiCp/Al复合材料从溶液中取出;
13)将步骤12)得到的高体分SiCp/Al复合材料表面上的残留溶液用水清洗;
14)将步骤13)得到的高体分SiCp/Al复合材料浸入次亚磷酸钠溶液中进行还原处理,溶液配方及操作条件如下:
NaH2PO2 0.5g/L~2g/L
溶液温度 室温
持续时间 1min~3min
还原完成后将高体分SiCp/Al复合材料从溶液中取出;
15)将步骤14)得到的高体分SiCp/Al复合材料表面上的残留溶液用水清洗;
16)将步骤15)得到的高体分SiCp/Al复合材料进行化学镀镍处理,溶液配方及操作条件如下:
化学镀镍完成后将高体分SiCp/Al复合材料从溶液中取出;
17)将步骤16)得到的高体分SiCp/Al复合材料表面上的残留溶液用水清洗,完成高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料化学镀镍层的制备。
2.根据权利要求1所述的高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料化学镀镍层的制备方法,其特征在于:所述的步骤(2)中,持续时间为10min。
3.根据权利要求1所述的高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料化学镀镍层的制备方法,其特征在于:所述的步骤(3)中,持续时间为30s。
4.根据权利要求1所述的高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料化学镀镍层的制备方法,其特征在于:所述的步骤(6)中,持续时间为2min。
5.根据权利要求1所述的高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料化学镀镍层的制备方法,其特征在于:所述的步骤(8)中,持续时间为10s。
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