[发明专利]具有肖特基势垒AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法有效

申请号：	201910440262.2	申请日：	2019-05-24
公开（公告）号：	CN110265485B	公开（公告）日：	2021-01-01
发明（设计）人：	段宝兴;王彦东;孙李诚;杨银堂	申请（专利权）人：	西安电子科技大学
主分类号：	H01L29/812	分类号：	H01L29/812;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/338
代理公司：	西安智邦专利商标代理有限公司 61211	代理人：	胡乐
地址：	710071***	国省代码：	陕西;61
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摘要：
搜索关键词：	具有肖特基势垒 algan gan 异质结横向晶体管及其制作方法
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【权利要求书】：

1.具有肖特基势垒AlGaN/GaN异质结的横向晶体管，包括：

半导体材料的衬底；

位于衬底上表面的氮化镓材料的外延层；

位于外延层表面的源极、栅极和漏极；

其特征在于：

所述外延层的掺杂浓度为1×10¹⁶cm^-3～1×10¹⁷cm^-3，外延层的厚度为0.5μm～1.5μm；靠近漏极一侧的外延层表面还通过异质外延形成AlGaN层与漏极相接，形成AlGaN/GaN异质结，作为部分漂移区，AlGaN/GaN异质结的横向尺寸占整个器件长度的比例为1/2～3/4；所述栅极为肖特基接触，所述源极和漏极为欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的具有肖特基势垒AlGaN/GaN异质结的横向晶体管，其特征在于：所述衬底的材料为氮化镓、碳化硅、蓝宝石或硅。

3.根据权利要求1所述的具有肖特基势垒AlGaN/GaN异质结的横向晶体管，其特征在于：所述衬底为P型，掺杂浓度1×10¹⁵cm^-3～1×10¹⁷cm^-3。

4.根据权利要求1所述的具有肖特基势垒AlGaN/GaN异质结的横向晶体管，其特征在于：所述栅极下方还设置有绝缘介质层，绝缘介质层的厚度为0～0.1μm。

5.根据权利要求4所述的具有肖特基势垒AlGaN/GaN异质结的横向晶体管，其特征在于：所述绝缘介质层的材料为高K材料。

6.一种制作权利要求1所述具有肖特基势垒AlGaN/GaN异质结的横向晶体管的方法，包括以下步骤：

(1)取半导体材料制备衬底；

(2)在衬底上通过外延形成GaN外延层；

(3)在GaN外延层上通过异外延形成AlGaN层；

(4)在指定区域刻除AlGaN层，在掩膜的保护下，通过离子注入形成N型漂移区；

(5)通过肖特基接触形成栅极，通过欧姆接触形成源极和漏极；

(6)器件表面淀积钝化层，并刻蚀接触孔。

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