[发明专利]具有结型栅AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法

权利要求书

1.具有结型栅AlGaN/GaN异质结的横向晶体管，包括：

半导体材料的衬底；

位于衬底上表面的GaN材料的外延层；

位于外延层表面的源极、漏极和栅极；

其特征在于：

所述外延层对应于栅极下方的区域通过离子注入形成P型区；所述外延层的掺杂浓度为1×10¹⁵cm^-3～1×10¹⁷cm^-3；

靠近漏极一侧的外延层表面还通过异质外延形成AlGaN层与漏极相接，形成AlGaN/GaN异质结，应用于器件的部分漂移区，与P型区保持不超过3μm的距离；所述AlGaN/GaN异质结的横向尺寸占整个器件长度的比例为1/2～3/4；

所述栅极为结型栅，源极和漏极为欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的具有结型栅AlGaN/GaN异质结的横向晶体管，其特征在于：所述衬底的掺杂浓度为1×10¹⁵cm^-3～1×10¹⁷cm^-3。

3.根据权利要求1所述的具有结型栅AlGaN/GaN异质结的横向晶体管，其特征在于：所述P型区的掺杂浓度为1×10¹⁶cm^-3～1×10¹⁸cm^-3。

4.根据权利要求1所述的具有结型栅AlGaN/GaN异质结的横向晶体管，其特征在于：所述外延层的厚度为0.2μm～1.5μm；异质外延的AlGaN层的厚度为10～30nm。

5.根据权利要求1所述的具有结型栅AlGaN/GaN异质结的横向晶体管，其特征在于：所述衬底的材料为氮化镓、碳化硅、蓝宝石或硅。

6.一种制作权利要求1所述的具有结型栅AlGaN/GaN异质结的横向晶体管的方法，包括以下步骤：

(1)取半导体材料制备衬底；

(2)在衬底上形成GaN材料的外延层；

(3)在外延层上通过异质外延形成AlGaN层；

(4)在指定区域刻除AlGaN层，在掩膜的保护下，通过离子注入形成P型区，在P型区表面形成栅极欧姆接触；

(5)在外延层左侧淀积金属，形成源极欧姆接触；在AlGaN层右侧淀积金属，形成漏极欧姆接触；

(6)器件表面淀积钝化层。