[发明专利]一种复合结构有源反馈宽带低噪声放大器

说明书

本发明公开了一种复合结构有源反馈宽带低噪声放大器，包括输入放大器和有源反馈支路；输入放大器包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，使用电流复用技术提高等效跨导，使用复合NMOS/PMOS交叉耦合技术实现噪声消除，从而提高增益和降低噪声系数；有源反馈支路包括第七晶体管、第八晶体管、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第三电容、第四电容、第五电容和第六电容，满足输入匹配。本发明的电路结构解决了现有全差分共源低噪声放大器中噪声、增益、输入匹配和带宽等性能相互制约的矛盾，具有低噪声系数和高增益的特点。

技术领域

本发明涉及晶体管放大领域，尤其涉及一种复合结构有源反馈宽带低噪声放大器。

背景技术

射频接收器是射频集成电路中重要构成部分，低噪声放大器是接收器中首个有源模块。为了适应单个设备中的不同频段应用，需要在单个芯片上实现支持多种标准的射频接收器。解决方案有两种，一是将几个不同的窄带低噪声放大器集成在一起，通过开关选择实现宽带接收器，二是使用单个宽带低噪声放大器满足所有标准。第二份方案可以实现更低的成本、面积和功耗，是宽带接收器的未来发展趋势。但宽带低噪声放大器中存在噪声、增益、输入匹配和带宽等性能相互制约的问题。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点和不足，提供一种复合结构有源反馈宽带低噪声放大器。本发明利用电流复用方案提高等效跨导，利用复合NMOS/PMOS晶体管对交叉耦合技术部分消除输入级晶体管的噪声贡献，采用有源反馈技术解决现有低噪声放大器中噪声、增益、输入匹配和带宽等性能相互制约的矛盾，最终实现低噪声系数和高增益。

本发明通过下述技术方案实现：

一种复合结构有源反馈宽带低噪声放大器，包括输入放大器和有源反馈支路；

所述输入放大器由第一晶体管M₁、第二晶体管M₂、第三晶体管M₃、第四晶体管M₄、第五晶体管M₅、第六晶体管M₆、第一电容C₁、第二电容C₂、第一电阻R₁、第二电阻R₂、第三电阻R₃和第四电阻R₄组成；

所述输入放大器的第一晶体管M₁的漏极接地，其源级和第三晶体管M₃的源级相连，其栅极通过第二电容C₂和第四晶体管M₄的栅极相连；

第二晶体管M₂的漏极接地，其源级和第四晶体管M₄的源级相连，其栅极通过第一电容C₁和第三晶体管M₃的栅极相连；

第三晶体管M₃的漏极和第五晶体管M₅的漏极相连，其漏级还与输出端口V_on相连，其源级和第一晶体管M₁的源级相连，其栅极与输入端口V_in相连；

第四晶体管M₄的漏极和第六晶体管M₆的漏极相连，其漏级还与输出端口V_op相连，其源级和第二晶体管M₂的源级相连，其栅极与输入端口V_ip相连；

第五晶体管M₅的漏极和第三晶体管M₃的漏极相连，其源级和电源相连，其栅极和第三晶体管M₃的栅极相连；

第六晶体管M₆的漏极和第四晶体管M₄的漏极相连，其源级和电源相连，其栅极和第四晶体管M₄的栅极相连；