[发明专利]一种调控甲胺基卤化铅钙钛矿单晶离子迁移的方法

权利要求书

1.一种调控甲胺基卤化铅钙钛矿单晶离子迁移的方法，其特征在于，包括步骤如下：

在半导体单晶的表面进行加工：所述半导体单晶为甲胺基卤化铅钙钛矿单晶，在甲胺基卤化铅钙钛矿单晶{100}面上沿110晶向进行微纳图形结构加工；

所述微纳图形结构加工方法包括：对于甲胺基氯化铅单晶和甲胺基溴化铅单晶，选择光刻或者电子束曝光进行图形转移，选择干法刻蚀或反应离子刻蚀进行刻蚀工艺；

对于甲胺基碘化铅单晶，先采用激光直写、化学蚀刻工艺先行制备镂空金属箔掩膜版，再使用掩膜版配合干法刻蚀的工艺实现微纳结构的加工；

所加工的微纳图形结构的图形包括圆形、四边形、环形、圆弧形、椭圆形、网格线形，所加工的微纳图形结构的有效深度为100nm—5μm，有效宽度为100nm—10μm，有效长度为5μm-100μm；所加工的微纳图形结构的纵向侧壁的形状包括圆形、四边形、椭圆形、网格线形。

2.根据权利要求1所述的调控甲胺基卤化铅钙钛矿单晶离子迁移的方法，其特征在于，对甲胺基氯化铅单晶和甲胺基溴化铅单晶进行微纳图形结构加工时，对于工艺线宽在1μm及以上的微纳图形结构，选择光刻手段进行图形转移，对于工艺线宽低于1μm的微纳图形结构，选择电子束曝光技术实现图形转移；

若图形深度小于1μm则使用干法刻蚀工艺进行刻蚀，若图形深度大于1μm，则使用反应离子刻蚀技术进行刻蚀。