[发明专利]具有分布布拉格反射器的发光二极管芯片

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，包括：

发光结构体，包括活性层；以及

分布布拉格反射器，布置在所述发光结构体的一侧，从而反射从所述发光结构体发出的光，

所述分布布拉格反射器包括交替层叠的具有低折射率的第一材料层以及具有高折射率的第二材料层的对，所述分布布拉格反射器包括：

第一区域，包括多个对，并且第一材料层以及第二材料层均具有大于0.25λ并且0.3λ以下的光学厚度；

最后对，与所述发光结构体最远；以及

第二区域，位于所述第一区域和所述最后对之间，并且第一材料层以及第二材料层均具有小于0.25λ的光学厚度，

λ表示从所述发光结构体发出的光的峰值波长，

在所述第二区域内，第一材料层与所述第二材料层相比光学厚度偏差大。

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其中，

所述第一区域包括第一材料层比第二材料层更厚的对以及与此相反的对。

3.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其中，

所述第二区域内的第一材料层包括具有小于0.25λ并且大于0.25λ-20％的光学厚度的第一材料层以及具有小于0.25λ-40％的光学厚度的第一材料层。

4.如权利要求3所述的发光二极管芯片，其中，

所述第二区域内的第二材料层具有小于0.25λ并且大于0.25λ-10％的光学厚度。

5.如权利要求3所述的发光二极管芯片，其中，

所述具有大于0.25λ-20％的光学厚度的第一材料层具有大于0.25λ-10％的光学厚度。

6.如权利要求3所述的发光二极管芯片，其中，

所述第二区域内的第二材料层的光学厚度偏差小于第一区域内的第二材料层的光学厚度偏差。

7.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其中，

所述最后对的第一材料层比所述分布布拉格反射器内的其他第一材料层更厚。

8.如权利要求7所述的发光二极管芯片，其中，

所述最后对的第一材料层具有在80nm至200nm范围内的厚度。

9.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其中，

所述第一区域的对的数量为6对至10对。

10.如权利要求9所述的发光二极管芯片，其中，

所述第二区域的对的数量为所述第一区域的对的数量的1/2以下。

11.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其中，还包括：

基板，布置在所述发光结构体和所述分布布拉格反射器之间。

12.如权利要求11所述的发光二极管芯片，其中，

所述基板是图案化的蓝宝石基板。

13.如权利要求11所述的发光二极管芯片，其中，还包括：

界面层，在所述基板和所述分布布拉格反射器之间，并且由与所述分布布拉格反射器内的第一材料层相同的材料形成，并且比所述第一材料层相对更厚。

14.如权利要求13所述的发光二极管芯片，其中，还包括：

金属反射器，与所述分布布拉格反射器的最后对接触。

15.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其中，还包括：

基板，隔着所述发光结构体与所述分布布拉格反射器对向布置。

16.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其中，

所述发光结构体发出具有440nm以下的峰值波长的可见光或者近紫外线。