[发明专利]基于宽范围输入电压输出相对恒定的CMOS电荷泵

权利要求书

1.一种基于宽范围输入电压输出相对恒定的CMOS电荷泵，其特征在于，包括：

第一二极管D1，连接电源VDD，输出电压V1；

第二二极管D2，输入电压V1，输出电压V4、并与PMOS管PM1的漏极连接；

PMOS管PM1，衬底和源极短接，作为电荷泵的输出端VCP；

电容C3，一端连接输出端VCP，另一端接地；

电平转换器A1，输入端连接时钟信号CK，输出端与PMOS管PM1的栅极连接；

逻辑模块，连接时钟信号CK、第一检测单元DET1的输出端VO1、第二检测单元DET2的输出端VO2，输出电压V2、V3；

第一级电容C1，一端连接电压V1，另一端连接电压V2；

第二级电容C2，一端连接电压V4，另一端连接电压V3；

第一检测单元DET1，用于检测V1、V2间的电压差，跨接在V1、V2之间；

第二检测单元DET2，用于检测V4、V3间的电压差，跨接在V4、V3之间。

2.根据权利要求1所述的一种基于宽范围输入电压输出相对恒定的CMOS电荷泵，其特征在于，所述逻辑模块包括：

第一反相器I5，输入端接第一检测单元DET1的输出端VO1；

与非门I2，输入端接时钟信号CK、第一反相器I5的输出端，输出端接电压V2；

第二反相器I1，输入端接时钟信号CK；

或非门I4，输入端接第一检测单元DET1的输出端VO1和第二检测单元DET2的输出端VO2；

与非门I3，输入端接第二反相器I1的输出端、或非门I4的输出端，输出端接电压V3。

3.根据权利要求1或2所述的一种基于宽范围输入电压输出相对恒定的CMOS电荷泵，其特征在于，所述第一检测单元DET1包括二极管D3、稳压二极管Z1、偏置电流ID1以及PMOS管PM11、PM12，PM11和PM12的源极短接、共同连接电压V1，PM11和PM12的栅极短接、并连接到PM12的漏极，PM12的漏极与二极管D3的正极连接，二极管D3的负极与稳压二极管Z1的负极连接，稳压二极管Z1的正极连接电压V2；偏置电流ID1的一端接地，另一端与PM11的漏极连接、共同作为输出端VO1。

4.根据权利要求1或2所述的一种基于宽范围输入电压输出相对恒定的CMOS电荷泵，其特征在于，所述第二检测单元DET2包括稳压二极管Z2、偏置电流ID2以及PMOS管PM21、PM22，PM21和PM22的源极短接、共同连接电压V4，PM21和PM22的栅极短接、并连接到PM22的漏极，PM22的漏极与稳压二极管Z2的负极连接，稳压二极管Z2的正极连接电压V3；偏置电流ID2的一端接地，另一端与PM21的漏极连接、共同作为输出端VO2。