[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

在半导体材料晶圆上限定多个芯片；

在所述半导体材料晶圆上限定的所述芯片中的每个上形成多个微处理器器件中的相应一个，每个所述微处理器器件包括嵌入式存储器；

在所述半导体材料晶圆上形成监测器单元，包括：

形成浮置栅极、控制栅极和对应的介电层；

形成延伸穿过所述监测器单元的控制栅极的孔，并暴露所述监测器单元的浮置栅极的一部分；

在所述监测器单元的控制栅极的一部分上形成硅化物保护层，所述控制栅极的所述一部分通过形成所述孔而暴露；以及

在所述形成硅化物保护层之后，在所述监测器单元的浮置栅极的一部分上形成硅化物接触端子，所述浮置栅极的所述一部分通过形成所述孔而暴露。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述硅化物保护层包括在执行处理步骤的同时形成硅化物保护层，所述处理步骤与形成所述多个微处理器器件相关。

3.根据权利要求1所述的方法，包括：在形成所述硅化物接触端子之后，执行所述半导体材料晶圆的化学机械抛光，并暴露所述监测器单元的控制栅极的一部分。

4.根据权利要求3所述的方法，包括，在执行所述半导体材料晶圆的化学机械抛光之后：

将层间介电层沉积在所述半导体材料晶圆上；

在所述层间介电层上形成金属层；以及

在所述金属层的电迹线和所述硅化物接触端子之间形成电连接器。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述半导体材料晶圆上形成监测器单元包括在所述半导体材料晶圆中的一部分上形成监测器单元，所述半导体材料晶圆中的所述一部分未被限定为所述多个芯片中的一个的一部分。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述半导体材料晶圆上形成监测器单元包括在所述芯片中的每个上形成监测器单元，所述芯片中的每个被限定在所述半导体材料晶圆上。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述监测器单元的浮置栅极、控制栅极和对应的介电层包括：

形成所述监测器单元的相同的第一隧穿介电层和每个嵌入式存储器的存储器单元；

形成所述监测器单元的相同的浮置栅极和每个嵌入式存储器的存储器单元；以及

形成所述监测器单元的相同的控制栅极和每个嵌入式存储器的存储器单元。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述监测器单元的浮置栅极、控制栅极和对应的介电层包括：

在相应的浮置栅极和对应的擦除栅极之间形成所述监测器单元的相同的第二隧穿介电层和每个嵌入式存储器的存储器单元。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述硅化物保护层包括在执行处理步骤的同时形成硅化物保护层，其中，所述硅化物保护层与所述监测器单元的控制栅极的一部分接触。

10.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述硅化物保护层包括形成光刻胶保护氧化物层。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述半导体材料晶圆上形成监测器单元包括在所述半导体材料晶圆中的一部分上形成监测器单元，所述半导体材料晶圆中的所述一部分位于任何限定的多个芯片的外部。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述半导体材料晶圆上形成监测器单元包括在所述半导体材料晶圆的划线上形成监测器单元。