[发明专利]显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201910447752.5 | 申请日: | 2019-05-27 |
公开(公告)号: | CN110212110B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 张兴永 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括显示区和环绕所述显示区的阻挡墙,所述阻挡墙的顶部具有多个平行设置的凹槽结构,所述多个凹槽结构的延伸方向平行于所述阻挡墙的延伸方向;
其中,阻挡墙包括第一区段和第二区段,所述第一区段包括多个第一子区段,所述多个第一子区段沿所述第一区段的长度方向延伸,相邻的两个第一子区段之间具有第一间隔,所述第二区段与所述第一区段平行设置,所述第二区段包括多个第二子区段,相邻的两个第二子区段之间具有第二间隔,所述多个第二子区段的位置与多个所述第一个间隔的位置相对应,所述多个第一子区段的位置与多个所述第二间隔的位置相对应;以及多个连接段,所述多个连接段位于所述第一区段和第二区段之间,用于连接每一个第一子区段和与所述第一子区段相邻的两个第二子区段,每一个第一子区段和与所述第一子区段连接的两个连接段构成一个梯形结构,每一个第二子区段和与所述第二子区段连接的两个连接段构成一个梯形结构;
所述阻挡墙还包括多个盖帽结构,所述多个盖帽结构位于所述多个凹槽结构两侧的阻挡墙顶部,所述多个凹槽结构的深度大于或等于所述阻挡墙高度的四分之一,所述盖帽结构的高度小于或等于所述凹槽结构的最小深度。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述多个凹槽结构具有不同的深度,所述多个盖帽结构具有不同的高度。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述凹槽结构的深度与所述凹槽结构距离所述显示区的距离正相关,距离所述显示区最近的凹槽结构的深度小于距离所述显示区最远的凹槽结构的深度。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述多个第一子区段的长度相等,所述多个第一间隔的长度相等,所述多个第二子区段的长度相等,所述多个第二间隔的长度相等。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述多个第一子区段的长度大于所述多个第二间隔的长度,所述多个第二子区段的长度大于所述第一间隔的长度。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一区段和所述第二区段之间的距离大于或等于所述第一区段和第二区段的宽度之和,小于或等于所述第一区段和第二区段的宽度之和的两倍。
7.一种显示面板的制作方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:提供基板,在所述基板上形成显示区;形成环绕所述显示区的阻挡墙;在所述阻挡墙顶部形成第一绝缘层;将所述第一绝缘层图形化,形成多个平行设置的盖帽结构,所述多个盖帽结构的延伸方向平行于所述阻挡墙的延伸方向;以所述盖帽结构为掩膜版,对所述阻挡墙进行刻蚀,形成多个平行设置的凹槽结构;
其中,阻挡墙包括第一区段和第二区段,所述第一区段包括多个第一子区段,所述多个第一子区段沿所述第一区段的长度方向延伸,相邻的两个第一子区段之间具有第一间隔,所述第二区段与所述第一区段平行设置,所述第二区段包括多个第二子区段,相邻的两个第二子区段之间具有第二间隔,所述多个第二子区段的位置与多个所述第一个间隔的位置相对应,所述多个第一子区段的位置与多个所述第二间隔的位置相对应;以及多个连接段,所述多个连接段位于所述第一区段和第二区段之间,用于连接每一个第一子区段和与所述第一子区段相邻的两个第二子区段,每一个第一子区段和与所述第一子区段连接的两个连接段构成一个梯形结构,每一个第二子区段和与所述第二子区段连接的两个连接段构成一个梯形结构;
所述阻挡墙还包括多个盖帽结构,所述多个盖帽结构位于所述多个凹槽结构两侧的阻挡墙顶部,所述多个凹槽结构的深度大于或等于所述阻挡墙高度的四分之一,所述盖帽结构的高度小于或等于所述凹槽结构的最小深度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择