[发明专利]一种信息存储组件、电路以及显示装置有效

专利信息
申请号: 201910447965.8 申请日: 2019-05-27
公开(公告)号: CN112002356B 公开(公告)日: 2022-12-09
发明(设计)人: 谢相伟;林智远;马刚;陈光郎;闫晓林 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14;H03K17/687
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 张全文
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 信息 存储 组件 电路 以及 显示装置
【说明书】:

发明实施例属于电子技术领域,提供了一种信息存储组件、电路以及显示装置,通过采用包括至少一个电子开关管单元的电子开关模块和用于存储电荷的储能模块形成信息存储组件,其中,所述电子开关管单元包括第一电子开关管和第二电子开关管形成的电子开关管对组,实现了电子开关管单元对双向电流的控制,从而克服电子开关管由于受到制造工艺限制只对单向电流具有控制能力的缺点,使得信息存储组件可以不受制造工艺的限制,依然可以实现电容器的记忆功能。

技术领域

本发明实施例属于电子技术领域,尤其涉及一种信息存储组件、电路以及显示装置。

背景技术

目前,为了在电路中存储电压数值,通常将具有电荷存储功能的电容器与开关器件一起应用于电路中,通过对开关器件的导通和关断进行控制,进而实现电压值信息的写入和存储,例如,将电容器和金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)进行传统的开关连接方式进行连接,在特定时间导通MOSFET对电容器进行充电,从而将电压值信息写入到电容器中进行保存。

在上述电路结构中,为了实现电压值信息的写入和存储,需要MOSFET对其源极和漏极输入的电流均具有开关特性,然而,目前大部分分立的MOSFET由于采用垂直工艺制备,只对单向电流具有控制能力,无法实现电容器的记忆功能。

发明内容

本发明实施例提供信息存储组件、电路以及显示装置,旨在解决目前大部分分立的MOSFET只对单向电流具有控制能力,无法实现电容器的记忆功能的问题。

本发明实施例提出了一种信息存储组件,所述信息存储组件包括:电子开关模块和储能模块;

所述电子开关模块包括至少一个电子开关单元,每一所述电子开关单元包括第一子电子开关单元及第二子电子开关单元,所述第一子电子开关单元的第一端为电压信号输入端,所述第一子电子开关单元的第二端与所述第二子电子开关单元的第二端连接,所述第一子电子开关单元的第三端及所述第二子电子开关单元的第三端之间的节点为控制信号输入端,所述第二子电子开关单元的第一端与所述储能模块的第一端连接,所述储能模块的第二端为开关信号输入端,所述储能模块的第三端接地,所述第一子电子开关单元内的寄生二极管与所述第二子电子开关单元内的寄生二极管反向串联。

可选的,所述第一子电子开关单元为第一电子开关管,所述第二子电子开关单元为第二电子开关管;

其中,所述第一电子开关管的第一端与所述第一电子开关管中的寄生二极管的阴极连接,所述第二电子开关管的第一端与所述第二电子开关管中的寄生二极管的阴极连接,第一电子开关管的第二端、所述第一电子开关管中的寄生二极管的阳极、所述第二电子开关管的第二端以及所述第二电子开关管中的寄生二极管的阳极共接,所述第一电子开关管的第三端与所述第二电子开关管的第三端连接;或者

所述第一电子开关管的第二端与所述第一电子开关管中的寄生二极管的阳极连接,所述第二电子开关管的第二端与所述第二电子开关管中的寄生二极管的阳极连接,所述第一电子开关管的第一端、所述第一电子开关管中的寄生二极管的阴极、所述第二电子开关管中的寄生二极管的阴极以及所述第二电子开关管的第一端共接,所述第一电子开关管的第三端与所述第二电子开关管的第三端连接。

可选的,所述电子开关模块包括m个电子开关管单元,m≥2,m为正整数,并且m个所述电子开关管单元依次串联连接;

其中,第一个所述电子开关管单元的第一端与所述电子开关模块的输入端连接,第一个所述电子开关管单元的控制端与所述电子开关模块的控制端连接,第一个所述电子开关管单元的第二端与第二个所述电子开关管单元的第一端连接,第二个所述电子开关管单元的控制端与所述电子开关模块的控制端连接,以此类推,第m个所述电子开关管单元的第一端与第m-1个所述电子开关管单元的第二端连接,第m个所述电子开关管单元的控制端与所述电子开关模块的控制端连接,第m个所述电子开关管单元的第二端与所述电子开关模块的输出端连接。

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