[发明专利]半导体器件及制造该半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

通过在衬底上交替堆叠模制绝缘层和初步牺牲层来形成初步堆叠结构；

形成穿过所述初步堆叠结构的沟道孔；以及

使用所述沟道孔将所述初步牺牲层转换成牺牲层，

其中，每个所述牺牲层的厚度大于每个所述初步牺牲层的厚度。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述初步牺牲层由多晶硅形成，

其中，将所述初步牺牲层转换成牺牲层包括通过经由所述沟道孔注入氧源来氧化所述初步牺牲层，并且

其中，所述牺牲层由氧化硅形成。

3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述初步牺牲层包括聚合物，并且

其中，将所述初步牺牲层转换成牺牲层包括：通过经由所述沟道孔注入有机化合物，使所述有机化合物与所述初步牺牲层反应。

4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述初步牺牲层包括具有层状结构的材料，并且其中，所述牺牲层包括层间化合物。

5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，每个所述牺牲层的厚度在远离所述沟道孔的方向上减小。

6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，每个所述模制绝缘层的厚度在远离所述沟道孔的方向上增加。

7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括：

去除所述牺牲层的相对于所述模制绝缘层的侧表面朝向所述沟道孔突出的部分；

在所述沟道孔中形成包括栅极介电层和沟道层的沟道结构；以及

用栅电极代替所述牺牲层。

8.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述的形成初步堆叠结构包括：

在所述衬底上形成包括模制绝缘层和初步牺牲层的第一初步堆叠结构；

形成穿过所述第一初步堆叠结构的第一初步沟道孔；

形成填充所述第一初步沟道孔的间隙填充层；以及

在所述第一初步堆叠结构上形成包括模制绝缘层和初步牺牲层的第二初步堆叠结构。

9.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中，形成穿过所述初步堆叠结构的沟道孔包括：

形成穿过所述第二初步堆叠结构的第二沟道孔；以及

通过所述第二沟道孔去除所述间隙填充层。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上交替堆叠第一材料层和第二材料层；

形成穿过所述第一材料层和所述第二材料层的沟道孔；以及

通过所述沟道孔将所述第一材料层转换成第三材料层并且/或者通过所述沟道孔将所述第二材料层转换成第四材料层，

其中，所述第三材料层的厚度大于所述第一材料层的厚度，所述第四材料层的厚度大于所述第二材料层的厚度。

11.根据权利要求10所述的制造半导体器件的方法，其中，

通过所述沟道孔将所述第一材料层转换成所述第三材料层并且通过所述沟道孔将所述第二材料层转换成所述第四材料层；

所述第三材料层的体积大于所述第一材料层的体积；并且

所述第四材料层的体积大于所述第二材料层的体积。

12.根据权利要求11所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第一材料层由聚二甲基硅氧烷形成，并且

其中，将所述第一材料层转换成第三材料层包括通过所述沟道孔注入1-溴代十二烷。

13.根据权利要求11所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第二材料层由多晶硅形成，并且

其中，将所述第二材料层转换成第四材料层包括通过所述沟道孔注入氧源。