[发明专利]薄膜晶体管基板及其制作方法

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管基板及其制作方法，包括：基板；栅极层，形成于所述基板上；栅极绝缘层，形成于所述栅极层上；金属氧化物层，形成于所述栅极绝缘层上；以及源漏极，分别形成于所述金属氧化物层两端，所述源漏极分別具有层叠结构，所述层叠结构包括第一金属层及第二金属层，所述第一金属层形成于所述第二金属层上。避免源漏极刻蚀时金属氧化物沟道受到酸腐蚀增加半导体缺陷，有效防止铜在高温等条件向下扩散至金属氧化物沟道内。无需额外添加阻挡层材料，降低了生产成本的同时，减少阻挡层材料残留导致短路等风险。

技术领域

本发明涉及显示面板领域，特别涉及一种薄膜晶体管基板及其制作方法。

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)是目前市场上应用最为广泛的显示产品，其本身具有高亮度、长寿命、广视角、大尺寸显示等优点，并且液晶显示器相关的生产工艺技术十分成熟，产品良率高，生产成本相对较低，市场接受度高。

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)基板是液晶显示器能够实现显示效果的重要一环。在形成薄膜晶体管基板中的金属氧化物时，氧化铟镓锌(Indium GalliumZinc Oxide，IGZO)由于其载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高薄膜晶体管对像素电极的充放电速率，实现更快的刷新率，大大提高像素的行扫描速率。但目前底栅型氧化铟镓锌在制作过程因选择比等问题，导致刻蚀工艺会对氧化铟镓锌有损伤，造成氧化铟镓锌表面缺陷，影响器件漏电流及阈值电压和稳定性。

另外，在形成薄膜晶体管基板中的源漏极时，当源漏极采用铜(Cu)结构，因其与基板或者氧化硅及氮化硅附着力差，铜扩散至沟道等问题，需要额外添加进行阻挡层材料。一方面增加了刻蚀成本，另一方面会有钼(Mo)等阻挡层残留，造成短路等风险。

因此，有必要提供一种新的薄膜晶体管基板及其制作方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于发明一种薄膜晶体管基板及其制作方法，通过剥离工艺形成源漏极，避免刻蚀工艺对金属氧化物沟道造成损伤；源漏极使用铜和铟锡氧化物的层叠结构，防止铜扩散至金属氧化物沟道内，进而引起风险。

为实现上述目的，本发明提供一种薄膜晶体管基板，包括：基板；栅极层，形成于所述基板上；栅极绝缘层，形成于所述栅极层上；金属氧化物层，形成于所述栅极绝缘层上；以及源漏极，分别形成于所述金属氧化物层两端，所述源漏极分別具有层叠结构，所述层叠结构包括第一金属层及第二金属层，所述第一金属层形成于所述第二金属层上。

进一步地，所述栅极层为层叠结构，其材质为铜和钼。

进一步地，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极层和所述基板的表面；以及所述金属氧化物层的材质为氧化铟镓锌。

进一步地，所述第一金属层的材质为铜；以及所述第二金属层的材质为铟锡氧化物。

进一步地，还包括：钝化层，沉积于所述源漏极上，所述钝化层覆盖所述栅极绝缘层、所述源漏极和所述金属氧化物层的表面。

本发明还提供一种薄膜晶体管基板的制作方法，包括如下步骤：

S1、提供一基板；

S2、形成栅极层于所述基板上；

S3、形成栅极绝缘层于所述栅极层上；

S4、形成金属氧化物层于所述栅极绝缘层上；

S5、形成光阻层于所述金属氧化物层上；

S6、对所述光阻层进行修饰灰化，以使所述金属氧化物层上预计形成源漏极的区域形成缺口；