[发明专利]非挥发性存储器结构

权利要求书

1.一种非挥发性存储器结构，其特征在于，包括：

基底；

堆叠结构，设置在所述基底上，且具有开口，其中所述堆叠结构包括交替堆叠的多个第一导体层与多个第一介电层；

导体柱，设置在所述开口中；

通道层，设置在所述堆叠结构与所述导体柱之间；

电荷存储结构，设置在所述堆叠结构与所述通道层之间；以及

第二介电层，设置在所述通道层与所述导体柱之间。

2.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中所述多个第一导体层的材料包括金属或掺杂多晶硅。

3.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中所述多个第一介电层的材料包括氧化硅。

4.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中所述导体柱的材料包括金属或掺杂多晶硅。

5.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中所述通道层还可设置在所述导体柱与所述基底之间。

6.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中所述通道层的材料包括多晶硅。

7.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中所述电荷存储结构包括：

电荷存储层，设置在所述堆叠结构与所述通道层之间；

第三介电层，设置在所述堆叠结构与所述电荷存储层之间；以及

第四介电层，设置在所述电荷存储层与所述通道层之间。

8.如权利要求7所述的非挥发性存储器结构，其中所述电荷存储层包括电荷捕捉层。

9.如权利要求7所述的非挥发性存储器结构，其中所述电荷存储层的材料包括氮化硅。

10.如权利要求7所述的非挥发性存储器结构，其中所述第三介电层与所述第四介电层的材料包括氧化硅。

11.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中所述第二介电层的材料包括氧化硅。

12.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，还包括：

半导体层，设置在所述通道层与所述基底之间。

13.如权利要求12所述的非挥发性存储器结构，其中所述半导体层的材料包括外延硅。

14.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，还包括：

第二导体层，设置在最上层的所述第一导体层上方，且连接于所述通道层，其中所述第二导体层与最上层的所述第一导体层彼此隔离。

15.如权利要求14所述的非挥发性存储器结构，其中所述第一介电层设置在所述第二导体层与最上层的所述第一导体层之间。

16.如权利要求14所述的非挥发性存储器结构，其中所述第二导体层的材料包括掺杂多晶硅。

17.如权利要求14所述的非挥发性存储器结构，还包括：

接触窗，电连接于所述第二导体层。

18.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，还包括：

接垫，设置在所述导体柱上，且与所述通道层彼此隔离。

19.如权利要求18所述的非挥发性存储器结构，其中所述第二介电层还设置在所述接垫与所述通道层之间。

20.如权利要求18所述的非挥发性存储器结构，还包括：

接触窗，电连接于所述接垫。