[发明专利]一种消像差的液体介质超透镜有效
申请号: | 201910450412.8 | 申请日: | 2019-05-28 |
公开(公告)号: | CN110244452B | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 李瑞峰;刘涵;付永启 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G02B26/00 | 分类号: | G02B26/00;G02B1/00;G02B3/12 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 吴姗霖 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 消像差 液体 介质 透镜 | ||
1.一种消像差的液体介质超透镜,包括:从上至下依次设置的上层超表面阵列、上层超透镜石英基底、高分子聚合物层、下层超透镜石英基底、下层超表面阵列;
所述上层超表面阵列,用于调控入射光波前,将入射光的波前按照需求焦距值进行相位调控,形成带像差的类球面波;
所述上层超透镜石英基底,用于作为上层超表面阵列的依附模块;所述上层超透镜石英基底下表面镀有第一ITO导电层;
所述下层超透镜石英基底上表面镀有第二ITO导电层,第二ITO导电层上设置有高分子聚合物层;
所述高分子聚合物层上表面附着有低介电常数液体介质,低介电常数液体介质与高分子聚合物层上表面切角为θ,通过改变θ大小来调控相应空间位置的波前相位;高分子聚合物层与上层超透镜石英基底之间充满高介电常数液体介质,高介电常数液体介质与低介电常数液体介质不相溶;
所述下层超表面阵列设置于下层超透镜石英基底下表面,将透射光的波前相位进行修正;
所述第一、第二ITO导电层之间加载电压,用于形成高介电常数液体介质与低介电常数液体介质之间的电势差。
2.如权利要求1所述的一种消像差的液体介质超透镜,其特征在于:所述上层超表面阵列使用的介质单元为氮化硅。
3.如权利要求1所述的一种消像差的液体介质超透镜,其特征在于:所述上下层超表面阵列均位于封装液体介质的外侧。
4.如权利要求1所述的一种消像差的液体介质超透镜,其特征在于:所述上下层超表面阵列所占空间采用薄聚合物进行封装。
5.如权利要求1所述的一种消像差的液体介质超透镜,其特征在于:所述下层超表面阵列后级加入FPGA编码阵列电路;下层超表面阵列为利用变容二极管构造的“0”“1”数字阵列,或石墨烯构造的费米能级调控阵列。
6.如权利要求4所述的一种消像差的液体介质超透镜,其特征在于:所述薄聚合物为毫米级塑料膜。
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