[发明专利]芯片核心电压的自动校准方法及其校准电路有效
申请号: | 201910450519.2 | 申请日: | 2019-05-28 |
公开(公告)号: | CN110286707B | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 孔欣 | 申请(专利权)人: | 成都锐成芯微科技股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/625 | 分类号: | G05F1/625 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610041 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 核心 电压 自动 校准 方法 及其 电路 | ||
本发明公开了一种芯片核心电压的自动校准方法及其校准电路,涉及集成电路技术领域。该校准方法包括以下步骤:当芯片上电时,脉冲生成模块接收数据信息,以产生高电平脉冲;对所述高电平脉冲进行计数,并判断该计数值是否落入预设目标值范围内;当所述计数值大于所述预设目标值范围时,则升高所述芯片内部中电压调整电路的输出电压,并继续对所述高电平脉冲进行计数;当所述计数值小于所述预设目标值范围时,则降低所述芯片内部中电压调整电路的输出电压,并继续对所述高电平脉冲进行计数;直至所述计数值落入所述预设目标值范围,所述芯片进入工作状态。本发明技术方案减少了芯片成本的同时,增加了芯片工艺选择的灵活性。
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域,特别是涉及芯片核心电压的自动校准方法及其校准电路。
背景技术
集成电路芯片的供电一般分为外部电压供电和核心电压供电两个部分,核心电压供电可以由外部直接提供或者由集成在芯片内部的降压电路将外部电压降压后提供。核心电压供电部分的电压值在不同工艺下存在一个中值(如1.2V)和偏差范围(如0.9V~1.32V)两个要求,保证满足内部电路能够正常工作且不会因电压过高影响电路寿命。
在使用内部降压电路为核心电压供电的情况下,内部降压电路因为集成电路制造过程中的偏差,导致在初始值设定情况下输出电压存在偏差,为了保证核心电压在芯片电路工作需求范围内,需要对内部降压电路的电压进行校准。
现有技术中内部降压电路的电压校准通常是在初始值已设定情况下,通过比较内部降压电路的输出电压和目标电压,对初始值进行补偿,并将补偿后的值保存在非挥发存储介质中,在芯片下次上电时,用补偿后的值设定内部降压电路的电压值,得到校准后的核心电压供电电压。但是,由于需要保存校准后的值,需要用到非挥发存储介质,必须使用有非挥发存储介质器件的工艺,这样则会限制工艺的选择的灵活度。另外,需要对比内部降压电路的输出电压和目标电压,还需要专门的校准装置和校准流程,增加了成本。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种芯片核心电压的自动校准方法及其校准电路,旨在减少芯片成本、增加芯片工艺选择的灵活性。
为实现上述目的,本发明提供一种芯片核心电压的自动校准方法,包括以下步骤:
当芯片上电时,脉冲生成模块接收数据信息,以产生高电平脉冲;
对所述高电平脉冲进行计数,并判断该计数值是否落入预设目标值范围内;
当所述计数值大于所述预设目标值范围时,则升高所述芯片内部中电压调整电路的输出电压,并继续对所述高电平脉冲进行计数;当所述计数值小于所述预设目标值范围时,则降低所述芯片内部中电压调整电路的输出电压,并继续对所述高电平脉冲进行计数;
直至所述计数值落入所述预设目标值范围,所述芯片进入工作状态。
优选地,所述脉冲生成模块接收数据信息,以产生高电平脉冲还包括:
所述数据信息输入至所述脉冲生成模块,由所述脉冲生成模块进行反向延时后,再与所述数据信息进行异或运算,以得到高电平脉冲。
优选地,当所述芯片的核心电压升高时,所述脉冲生成模块的计数值减小;当所述芯片的核心电压降低时,所述脉冲生成模块的计数值增加。
优选地,所述电压调整电路的输出电压为所述芯片的核心电压。
优选地,所述方法还包括:通过调整所述电压调整电路的配置值以调整其输出电压:
当需要升高输出电压时,调高所述电压调整电路的配置值;
当需要降低输出电压时,降低所述电压调整电路的配置值。
本发明还提供一种芯片核心电压的自动校准电路,所述自动校准电路包括脉冲生成模块、电压调整模块和校准模块;
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