[发明专利]一种键合方法在审
| 申请号： | 201910450592.X | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110164894A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 王平 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物层 衬底 沉积 钝化介质层 键合 化学机械研磨工艺 等离子体照射 氧化物层表面 表面抛光 残余气孔 衬底表面 键合工艺 键合界面 退火工艺 退火过程 水汽 背照式 承载片 晶圆 贴合 | ||
1.一种键合方法，其特征在于，包括：
提供第一衬底作为承载片，在所述第一衬底上沉积第一氧化物层；
提供第二衬底，并在所述第二衬底表面沉积第二氧化物层，并通过化学机械研磨工艺进行表面抛光；
在所述第二氧化物层上沉积一层钝化介质层；
在所述钝化介质层上沉积第三氧化物层；
采用等离子体照射所述第一氧化物层和所述第三氧化物层表面，并且将所述第一氧化物层和所述第三氧化物层贴合到一起；
将所述第一衬底、第一氧化物层、第二衬底、第二氧化物层、钝化介质层和第三氧化物层进行退火工艺。
2.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，所述钝化介质层为具有疏水性的介质膜层。
3.如权利要求2所述的键合方法，其特征在于，所述钝化介质层的材料包括掺杂碳化硅薄膜。
4.如权利要求2所述的键合方法，其特征在于，所述钝化介质层的厚度为5nm～50nm。
5.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，所述等离子体可以是O2、N2、H2或Ar等气体电离所产生的等离子体。
6.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，所述第二衬底为已形成探测像素点功能结构的晶圆。
7.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，所述第一衬底为具有对准图形的晶圆。
8.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，所述退火工艺的温度为200℃～400℃。
9.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，所述第一氧化物层和所述第二氧化物层贴合的温度为16℃～26℃。
10.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，所述第一氧化物层、所述第二氧化物层和所述第三氧化物层均为二氧化硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
