[发明专利]竖向延伸的存储器单元串的阵列和形成竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法

权利要求书

1.一种形成竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法，所述方法包括：

形成包括竖直交替的绝缘层与字线层的堆叠；

将水平延长的沟槽形成到所述堆叠中；

在所述沟槽中的个别沟槽的侧壁上方且竖向地沿着所述侧壁在所述个别沟槽中形成绝缘材料内衬；

在所述个别沟槽中竖向地沿着且横向地横跨所述绝缘材料内衬之间形成含硅材料，所述含硅材料包括至少30原子％的元素形式硅或含硅合金中的至少一种；

竖向地沿着所述交替层且与所述绝缘材料内衬横向地间隔开地设置晶体管沟道材料的竖向延伸的串；以及

设置所述字线层以包括控制栅极材料，所述控制栅极材料具有对应于个别存储器单元的控制栅极区的末端、所述晶体管沟道材料与所述控制栅极区之间的电荷存储材料、所述晶体管沟道材料与所述电荷存储材料之间的绝缘电荷传递材料、和所述电荷存储材料与所述控制栅极区中的个别控制栅极区之间的电荷阻挡区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘材料主要包括SiO₂。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘材料包括氮化硅、氮氧化硅、氧化铝和二氧化铪中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘材料是铁电的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硅材料包括至少40原子％的元素形式硅或含硅合金中的所述至少一种。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硅材料主要包括未掺杂元素形式硅。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硅材料主要包括掺杂元素形式硅。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硅材料包括如初始形成的多晶型元素形式硅。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硅材料包括至少如初始形成的非晶型元素形式硅。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述含硅材料包括呈成品构造的非晶型元素形式硅。

11.根据权利要求9所述的方法，其包括将所述非晶型元素形式硅变换成多晶型成品构造。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硅材料包括含硅合金。

13.根据权利要求1所述的方法，其包括将所述个别沟槽形成为在竖直横截面中具有最上部最小橫向宽度，所述绝缘材料内衬具有为所述竖直横截面中的所述最上部最小橫向宽度的2.5％到20％的橫向宽度。

14.根据权利要求13所述的方法，其包括将所述绝缘材料内衬形成为具有为所述竖直横截面中的所述最上部最小橫向宽度的5％到12.5％的橫向宽度。

15.根据权利要求14所述的方法，其包括将所述绝缘材料内衬形成为具有为所述竖直横截面中的所述最上部最小橫向宽度的约10％的橫向宽度。

16.根据权利要求1所述的方法，其包括通过原子层沉积形成所述绝缘材料内衬。

17.根据权利要求1所述的方法，其包括通过化学气相沉积形成所述绝缘材料内衬。

18.根据权利要求1所述的方法，其包括将竖向延伸的沟道开口形成到所述堆叠中，且将所述晶体管沟道材料设置到所述沟道开口中，在形成所述沟槽之前形成所述沟道开口且设置所述晶体管沟道材料。

19.根据权利要求1所述的方法，其包括在形成所述沟槽之前设置所述控制栅极材料。