[发明专利]高分子基板的制造方法及电子装置的制造方法在审
| 申请号： | 201910451073.5 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110556285A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 小山田洸介;元田总一郎;松本晃 | 申请（专利权）人： | 双叶电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/12;H01L51/00 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高分子基板 阻挡膜 支撑体 基板形成工序 热处理工序 支撑体剥离 热处理 剥离工序 表面形成 形成工序 酰亚胺基 覆盖 制造 | ||
1.一种高分子基板的制造方法，其依次具备：
基板形成工序，在支撑体的表面形成具有酰亚胺基的高分子基板；
阻挡膜形成工序，形成覆盖所述高分子基板的阻挡膜；
热处理工序，对所述支撑体、所述高分子基板及所述阻挡膜进行热处理；及
剥离工序，从所述支撑体剥离所述高分子基板。
2.根据权利要求1所述的高分子基板的制造方法，其中，
在所述基板形成工序之前还具备对存在于所述支撑体的所述表面的金属进行蚀刻的蚀刻工序。
3.根据权利要求1或2所述的高分子基板的制造方法，其中，
在所述阻挡膜形成工序中，形成具有覆盖所述高分子基板的主部及俯视观察时包围所述高分子基板并且与所述支撑体密合的端部的所述阻挡膜。
4.根据权利要求3所述的高分子基板的制造方法，其中，
在所述热处理工序之后且所述剥离工序之前还具备沿所述端部的延伸方向切断所述高分子基板的边缘部的切断工序。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的高分子基板的制造方法，其中，
所述阻挡膜包含具有30nm以上且100nm以下的厚度的氧化硅膜。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的高分子基板的制造方法，其中，
所述支撑体的所述表面的金属浓度为3.2％以上且4.7％以下。
7.一种电子装置的制造方法，其具备权利要求1至6中任一项所述的高分子基板的制造方法，该电子装置的制造方法中，
在所述剥离工序之前还具备在所述阻挡膜上形成电子元件的电子元件形成工序，
在所述剥离工序中，从所述支撑体剥离设有所述电子元件的所述高分子基板。
8.根据权利要求7所述的电子装置的制造方法，其中，
所述热处理工序在所述电子元件形成工序中实施。
9.根据权利要求7或8所述的电子装置的制造方法，其中，
所述高分子基板显示出挠性。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的电子装置的制造方法，其中，
所述阻挡膜包含具有8nm以上且20nm以下的厚度的氧化铌膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
