[发明专利]针对SSD的选择性后台数据刷新

说明书

本文公开了针对SSD的选择性后台数据刷新。半导体装置的实施例可以包括这样的技术：至少部分地基于主机提供的信息来选择性地确定用于后台刷新的数据集，并且作为后台操作在持久存储介质上刷新所确定的数据集。公开并要求保护其他实施例。

技术领域

实施例总体上涉及存储系统。更具体地，实施例涉及针对固态驱动器(SSD)的选择性后台数据刷新。

背景技术

诸如SSD之类的存储设备可以包括非易失性存储器(NVM)介质。对于一些NVM介质，与读取操作相比，写入操作可能花费更多时间和/或消耗更多能量。一些NVM介质可能具有可以对每个位置执行的有限数量的写入操作。可以利用诸如发布于2017年5月的NVMEXPRESS(NVMe)，修订版1.3(nvmexpress.org)之类的协议来支持对一些SSD设备的内容的访问。

附图说明

通过阅读以下说明书和所附权利要求，并且通过参考以下附图，实施例的各种优点将对于本领域技术人员变得显而易见，其中：

图1是根据实施例的电子存储系统的示例的框图；

图2是根据实施例的半导体装置的示例的框图；

图3A至图3B是根据实施例的控制存储的方法的示例的流程图；

图4是根据实施例的SSD的示例的框图；以及

图5是根据实施例的电子处理系统的示例的框图。

具体实施方式

本文描述的各种实施例可以包括存储器组件和/或与存储器组件的接口。这样的存储器组件可以包括易失性存储器和/或非易失性存储器。非易失性存储器可以是不要求电力来维持由介质存储的数据的状态的存储介质。在一个实施例中，存储器设备可以包括区块可寻址存储器设备，例如，基于NAND或NOR技术的那些设备。存储器设备还可以包括下一代非易失性设备，例如，三维(3D)交叉点存储器设备，或其他字节可寻址的就地写入非易失性存储器设备。在一个实施例中，存储器设备可以是或可以包括使用硫属化合物玻璃的存储器设备、多阈值级别NAND闪速存储器、NOR闪速存储器、单级或多级相变存储器(PCM)、电阻式存储器、纳米线存储器、铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)、反铁电存储器、结合忆阻器技术的磁阻随机存取存储器(MRAM)存储器、电阻式存储器(包括金属氧化物基、氧空位基和导电桥随机存取存储器(CB-RAM))、或自旋移矩(STT)-MRAM、基于自旋电子磁结存储器的设备、基于磁性隧道结(MTJ)的设备、基于DW(畴壁)和SOT(自旋轨道转移)的设备、基于晶闸管的存储器设备，或上述设备中的任何设备的组合，或其他存储器。存储器设备可以指代管芯本身和/或指代封装的存储器产品。在特定实施例中，具有非易失性存储器的存储器组件可以符合由联合电子器件工程委员会(JEDEC)颁布的一个或多个标准，例如，JESD218、JESD219、JESD220-1、JESD223B、JESD223-1或其他合适的标准(本文引用的JEDEC标准可以在jedec.org处获得)。

易失性存储器可以是要求电力来维持由介质存储的数据的状态的存储介质。易失性存储器的非限制性示例可以包括各种类型的RAM，例如，动态随机存取存储器(DRAM)或静态随机存取存储器(SRAM)。可以在存储器模块中使用的一种特定类型的DRAM是同步动态随机存取存储器(SDRAM)。在特定实施例中，存储器组件的DRAM可以符合由JEDEC颁布的标准，例如，用于DDR SDRAM的JESD79F、用于DDR2 SDRAM的JESD79-2F、用于DDR3 SDRAM的JESD79-3F、用于DDR4 SDRAM的JESD79-4A、用于低功率DDR(LPDDR)的JESD209、用于LPDDR2的JESD209-2、用于LPDDR3的JESD209-3以及用于LPDDR4的JESD209-4(这些标准可以在www.jedec.org处获得)。此类标准(以及类似标准)可以称为基于DDR的标准，并且实现此类标准的存储设备的通信接口可以称为基于DDR的接口。