[发明专利]阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板具有显示区与非显示区，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底的一侧形成位于非显示区的导电连接结构，所述导电连接结构包括层叠设置的第一层连接结构以及第二层连接结构；

形成至少覆盖所述导电连接结构的侧壁的保护结构；

形成所述显示区的阳极之后，去除所述保护结构。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述形成至少覆盖所述导电连接结构的侧壁的保护结构包括：

形成平坦化材料层；

图形化所述平坦化材料层，暴露所述导电连接结构的远离所述衬底的表面的中央部分，并且形成保护结构以及平坦结构，所述保护结构覆盖所述导电连接结构的远离所述衬底的表面的边缘部分及其侧壁。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述保护结构的厚度小于所述平坦结构的厚度。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述图形化所述平坦化材料层包括：

通过半曝光掩模版对所述平坦化材料层进行曝光，所述半曝光掩模版具有全透区、半透区以及不透区；

所述全透区对准所述非显示区的导电连接结构的远离所述衬底的表面的中央部分，以暴露所述导电连接结构的远离所述衬底的表面的中央部分；

所述半透区对准所述非显示区的导电连接结构的远离所述衬底的表面的边缘部分及其侧壁以形成所述保护结构；

所述不透区对准所述非显示区的其他区域，以形成所述平坦结构。

5.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

在所述形成平坦化材料层之前，还形成位于显示区的晶体管输出电极；

图形化所述平坦化材料层，暴露所述导电连接结构的远离所述衬底的表面的中央部分的同时，还暴露所述晶体管输出电极的远离所述衬底的部分表面。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述晶体管输出电极与所述导电连接结构同时形成，所述晶体管输出电极包括层叠设置的第一层电极以及第二层电极，所述第一层电极与所述第一层连接结构同层形成，第二层电极与所述第二层连接结构同层形成。

7.根据权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述平坦结构以及所述保护结构后，还包括：

形成阳极材料层；

图形化所述阳极材料层，形成位于所述平坦结构上的阳极，所述阳极连接所述晶体管输出电极；

去除所述保护结构。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，去除所述保护结构，包括：通过干法刻蚀，去除所述保护结构。

9.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述导电连接结构还包括第三层连接结构，所述第三层连接结构、第一层连接结构以及第二层连接结构层叠设置，所述第一层连接结构的材料为铝，所述第二层连接结构与所述第三层连接结构的材料为钛。

10.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板通过权利要求1-9任一项所述的方法制作而成。