[发明专利]FinFET器件及其形成方法

说明书

提供了FinFET器件及其形成方法。该方法包括：在衬底上形成半导体条。在衬底上和相邻的半导体条之间形成隔离区。对隔离区执行第一凹进工艺以暴露半导体条的第一部分。再成形半导体条的第一部分以形成半导体条的再成形的第一部分。对隔离区执行第二凹进工艺，以暴露位于半导体条的再成形的第一部分下方的半导体条的第二部分。再成形半导体条的第二部分以形成半导体条的再成形的第二部分。半导体条的再成形的第一部分和半导体条的再成形的第二部分形成鳍。鳍远离隔离区的最顶部表面延伸。

技术领域

本发明的实施例涉及FinFET器件及其形成方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用中，例如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上顺序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，并使用光刻图案化各种材料层以在其上形成电路组件和元件来制造半导体器件。

晶体管是在半导体器件中经常使用的元件。例如，在单个集成电路(IC)上可能存在大量晶体管(例如，数百、数千或数百万个晶体管)。例如，在半导体器件制造中使用的普通类型的晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。平面晶体管(例如，平面MOSFET)通常包括设置在衬底中的沟道区上方的栅极电介质，以及形成在栅极电介质上方的栅电极。晶体管的源极区和漏极区形成在沟道区的任一侧上。

多栅极场效应晶体管(MuGFET)是半导体技术的最新发展。一种类型的MuGFET称为鳍式场效应晶体管(FinFET)，它是包括鳍形半导体材料的晶体管结构，该鳍形半导体材料垂直地从集成电路的半导体表面凸出。

发明内容

本发明的实施例提供了一种形成FinFET器件的方法，包括：在衬底上形成半导体条；在所述衬底上和相邻的半导体条之间形成隔离区；对所述隔离区执行第一凹进工艺以暴露所述半导体条的第一部分；再成形所述半导体条的所述第一部分以形成所述半导体条的再成形的第一部分；对所述隔离区执行第二凹进工艺，以暴露位于所述半导体条的再成形的第一部分下方的所述半导体条的第二部分；以及再成形所述半导体条的所述第二部分以形成所述半导体条的再成形的第二部分，其中，所述半导体条的再成形的第一部分和所述半导体条的再成形的第二部分形成鳍，并且其中，所述鳍远离所述隔离区的最顶部表面延伸。

本发明的另一实施例提供了一种形成FinFET器件的方法，包括：在衬底上形成半导体条；在相邻的半导体条之间形成隔离区；对所述隔离区执行第一凹进工艺以暴露所述半导体条的第一部分，其中，执行所述第一凹进工艺还包括再成形所述半导体条的所述第一部分以形成所述半导体条的再成形的第一部分；对所述隔离区执行第二凹进工艺，以暴露位于所述半导体条的再成形的第一部分下方的所述半导体条的第二部分；以及再成形所述半导体条的所述第二部分以形成所述半导体条的再成形的第二部分，其中，所述半导体条的再成形的第一部分和所述半导体条的再成形的第二部分形成鳍，并且其中，所述鳍的最顶部表面在所述隔离区的最顶部表面之上。

本发明的又一实施例提供了一种FinFET器件，包括：衬底；隔离区，位于所述衬底上；以及鳍，位于所述衬底上并且与所述隔离区相邻，所述鳍的最顶部表面位于所述隔离区的最顶部表面上，其中，所述鳍包括：第一部分，所述第一部分的第一侧壁具有第一斜率；和第二部分，位于所述第一部分与所述衬底之间，所述第二部分的第二侧壁具有第二斜率，所述第一侧壁和所述第二侧壁位于所述鳍的同一侧，所述第一斜率与所述第二斜率不同。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据一些实施例的鳍式场效应晶体管(“FinFET”)器件的立体图。

图2A至图16A是根据一些实施例的制造FinFET器件的中间阶段的截面图。