[发明专利]一种射频加热模块的温度控制方法及射频加热装置

说明书

本发明公开了一种射频加热模块的温度控制方法及射频加热装置，包括：控制射频加热模块按照预定功率上电运行；检测射频加热模块的温度t；根据射频加热模块的温度t、输入电压v、本次正常运行的时间T以及封装在射频加热模块中的固态半导体源的阻抗m，综合确定固态半导体源的温度Tm；当Tm超过设定的上限值时，下调预定功率，控制射频加热模块降低其输出功率，直到Tm降低到设定的下限值以下时，将射频加热模块的输出功率恢复到所述预定功率。本发明通过检测射频加热模块的温度，可以间接地确定出固态半导体源的温升状况，进而根据固态半导体源的温度，采用调节射频加热模块输出功率的方式，实现了对固态半导体源的温度控制和过热保护。

技术领域

本发明属于加热装置技术领域，涉及一种射频加热技术，具体地说，是涉及一种对射频加热装置中的射频加热模块进行温度监测及控制的技术。

背景技术

目前的电烤箱、微波炉等加热装置，多采用以磁控管为发射源的微波加热技术。这类加热装置，在设计温度保护电路时，多采用在磁控管上安装温度调节器，利用温度调节器感知磁控管的温升，以实现对磁控管的过热保护。具体方法是：根据磁控管安全运行所允许的温度区间，事先设定好温度调节器的工作参数，例如，设定温度调节器的工作参数为160℃/60℃。当温度调节器检测到磁控管的温度达到160℃以上时，控制磁控管停止运行，进入过热保护状态。磁控管停止运行后，其温度逐渐降低，当磁控管的温度下降到60℃以下时，控制磁控管重新投入运行，加热装置继续工作，由此实现了对磁控管的温度控制及过热保护。

随着射频技术的快速发展和日臻成熟，射频加热装置应运而生并渐受关注。射频加热技术是一种利用固态半导体源（不同于磁控管）发射的电磁波来加热食物的技术。这种固态半导体源可以对其发射的电磁波的功率、频率、相位进行调节和控制，从而更有利于提升装置的加热品质。

在目前的射频加热装置中，固态半导体源被封装于射频加热模块中，通过为射频加热模块提供直流供电，以控制射频加热模块上电运行。射频加热模块在上电运行期间，模块内部的固态半导体源的温度会急剧上升，需要配合冷却装置对固态半导体源进行降温，以控制固态半导体源的温度保持在安全温度以下。但是，在射频加热装置使用的过程中，难免会出现冷却装置发生故障或者射频加热装置非正常运行等情况，其后果可能会导致模块内部的固态半导体源因温升过高而损坏，致使射频加热装置发生故障。因此，对射频加热模块内部的固态半导体源进行温度监测是非常必要的。但是，传统技术中的温度调节器不适用于射频加热模块，目前的射频加热技术也缺少能够准确感知固态半导体源温升的有效手段，因此，导致射频加热装置存在安全隐患。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于射频加热模块的温度控制技术，可以对射频加热模块中的固态半导体源实现过热保护。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案予以实现：

在一个方面，本发明提出了一种用于射频加热模块的温度控制方法，包括：为射频加热模块供电，控制射频加热模块按照预定功率上电运行；检测射频加热模块的温度t；根据射频加热模块的温度t、输入电压v、本次正常运行的时间T以及封装在射频加热模块中的固态半导体源的阻抗m，综合确定所述固态半导体源的温度Tm；当Tm超过设定的上限值时，控制射频加热模块降低其输出功率，直到Tm降低到设定的下限值以下时，将射频加热模块的输出功率恢复到所述预定功率。

优选的，所述固态半导体源的温度Tm优选采用公式Tm=mtT/(v-a)计算获得；其中，a为系数。