[发明专利]一种电流复用型gm-boost低噪声放大器的集成电路

权利要求书

1.一种电流复用型gm-boost低噪声放大器，其特征在于，包括共源放大模块、负反馈回路模块、直流电流隔绝模块和共栅放大模块，所述共源放大模块分别连接至所述负反馈回路模块和所述共栅放大模块，所述负反馈回路模块和所述共栅放大模块通过所述直流电流隔绝模块相连接，其中，

所述共源放大模块用于将电压信号转换为电流信号，并提供阻抗匹配的输入阻抗；

所述直流电流隔绝模块用于隔绝所述电流信号中的直流信号，传输所述电流信号中的交流信号；

所述负反馈回路模块用于使所述交流信号在所述共栅放大模块形成负反馈回路；

所述共栅放大模块用于对形成负反馈回路的交流信号进行放大处理，并提供阻抗匹配的输出阻抗；

所述共源放大模块包括第一匹配网络、第一放大管(M1)和第一电感(L1)，所述第一匹配网络串接于输入端(Vin)与所述第一放大管(M1)的栅极之间，所述第一电感(L1)串接于所述第一放大管(M1)的源极和接地端(GND)之间，所述第一放大管(M1)的漏极连接于所述负反馈回路模块的一端和所述共栅放大模块的一端；

所述直流电流隔绝模块包括第一耦合电容(C_C1)和第二耦合电容(C_C2)，所述第一耦合电容(C_C1)的一端连接于所述第一放大管(M1)的漏极和所述共栅放大模块的一端，所述第一耦合电容(C_C1)的另一端连接于第三放大管(M3)的栅极，所述第二耦合电容(C_C2)的一端连接于所述共栅放大模块的一端，所述第二耦合电容(C_C2)的另一端连接于所述第三放大管(M3)的漏极和第三电感(L3)的一端；

所述负反馈回路模块包括第二电感(L2)、所述第三电感(L3)和所述第三放大管(M3)，所述第二电感(L2)、所述第三放大管(M3)和所述第三电感(L3)依次串接于所述第一放大管(M1)的漏极和电源端(VDD)之间，所述第三放大管(M3)的漏极连接于所述第三电感(L3)的一端和所述直流电流隔绝模块的一端，所述第三放大管(M3)的栅极连接于所述直流电流隔绝模块的一端；

所述共栅放大模块包括第二放大管(M2)和第二匹配网络，所述第二放大管(M2)的源极连接于所述第一耦合电容(C_C1)的一端和所述第一放大管(M1)的漏极，所述第二放大管(M2)的栅极连接于所述第二耦合电容(C_C2)的一端，所述第二匹配网络串接于所述第二放大管(M2)的漏极和输出端(Vout)之间。

2.根据权利要求1所述的电流复用型gm-boost低噪声放大器，其特征在于，所述第一匹配网络包括第四电感(L₄)和第一电容(C₁)，其中，

所述第四电感(L₄)的一端连接于输入端(Vin)，所述第四电感(L₄)的另一端连接于所述第一放大管(M₁)的栅极和所述第一电容(C₁)的一端，所述第一电容(C₁)的另一端连接于所述第一放大管(M₁)的源极与所述第一电感(L₁)的一端，所述第一电感(L₁)的另一端连接于接地端(GND)。

3.根据权利要求2所述的电流复用型gm-boost低噪声放大器，其特征在于，所述第一放大管(M₁)、所述第二放大管(M₂)和所述第三放大管(M₃)均为NMOS管。

4.根据权利要求1所述的电流复用型gm-boost低噪声放大器，其特征在于，所述第二匹配网络包括第二电容(C₂)和第五电感(L₅)，其中，

所述第二电容(C₂)串接于所述第二放大管(M₂)的漏极和输出端(Vout)之间，所述第五电感(L₅)串接于所述第二放大管(M₂)的漏极和电源端(VDD)之间。

5.根据权利要求1所述的电流复用型gm-boost低噪声放大器，其特征在于，还包括第一电阻(Rb₁)、第二电阻(Rb₂)和第三电阻(Rb₃)，所述第一电阻(Rb₁)串接于所述第一放大管(M₁)的栅极和第一偏置电压(Vb₁)之间，所述第二电阻(Rb₂)串接于所述第二放大管(M₂)的栅极和第二偏置电压(Vb₂)之间，所述第三电阻(Rb₃)串接于所述第三放大管(M₃)的栅极和第三偏置电压(Vb₃)之间。