[发明专利]背接触式太阳能电池中原位表面再钝化的方法

权利要求书

1.一种用于为背接触式太阳能电池产生交指状图案的方法，所述方法包括：

在所述太阳能电池的硅基材的表面上沉积第一钝化层叠体，所述第一钝化层叠体包含至少一层第一掺杂类型的无定形硅a-Si；

通过使用第一干蚀刻工艺使第一钝化层叠体图案化，由此产生所述表面的一个或多个暴露区域和一个或多个包含第一掺杂类型的a-Si的区域；

对所述表面的所述一个或多个暴露区域进行清洁以去除第一干蚀刻工艺残留的污染物；以及

在所述清洁后沉积第二钝化层叠体，从而在所述表面的一个或多个暴露区域上产生一个或多个包含第二掺杂类型的a-Si的区域，所述第二钝化层叠体包含不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型的a-Si；

其中，图案化的第一钝化层叠体和一个或多个包含第二掺杂类型的a-Si的区域形成交指状图案，并且

其中，所述清洁包括：

至少在所述表面的所述一个或多个暴露区域上沉积牺牲层；以及

通过第二干蚀刻工艺去除所述牺牲层，其中，牺牲层的所述沉积和去除在不超过250℃的温度下进行。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层是a-Si层。

3.如权利要求1或权利要求2所述的方法，其中，牺牲层的平均厚度小于2nm，优选小于1.5nm，并且更优选小于1nm。

4.如权利要求1-3中任一所述的方法，其中，第一干蚀刻工艺是NF₃/Ar等离子体蚀刻工艺。

5.如前述权利要求中任一所述的方法，其中，第二干蚀刻工艺是氢等离子体蚀刻工艺。

6.如前述权利要求中任一所述的方法，其中，牺牲层使用等离子体增强化学气相沉积PECVD工艺进行沉积。

7.如前述权利要求中任一所述的方法，其中，在相同的PECVD工具中进行第一钝化层叠体的沉积和/或图案化以及所述一个或多个暴露区域的清洁。

8.如权利要求7所述的方法，其中，在相同PECVD工具中进行第二钝化层叠体的沉积。

9.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，第一掺杂类型是正的，并且第二掺杂类型是负的。

10.如权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，第一掺杂类型是负的，并且第二掺杂类型是正的。

11.如前述权利要求中任一项所述的方法，所述方法还包括：形成与所述一个或多个包含第一掺杂类型的a-Si的区域和所述一个或多个包含第二掺杂类型的a-Si的区域接触的电极。

12.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，牺牲层的所述沉积和去除在不超过200℃的温度下进行。

13.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，牺牲层的所述沉积和去除在150℃或大于150℃的温度下进行。

14.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，牺牲层的所述沉积和去除形成了单个等离子体工艺的部分。