[发明专利]一种电平转换电路在审

专利信息
申请号: 201910453284.2 申请日: 2019-05-28
公开(公告)号: CN112019203A 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 胡春晓;龚腾飞;陈捷 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175;H03K19/0185
代理公司: 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 代理人: 段洁汝;李丽
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 电平 转换 电路
【权利要求书】:

1.一种电平转换电路,其特征在于,包括:上拉电路、下拉电路以及输出节点;其中,

所述上拉电路耦接至第一电源,所述下拉电路耦接至所述上拉电路以及地端之间,所述下拉电路还耦接至所述输入信号,所述上拉电路以及所述下拉电路耦接至所述输出节点;

所述上拉电路与下拉电路的共同作用使所述电平转换电路基于所述输入信号,通过所述输出节点输出一对高低电平的输出信号;

在所述输入信号发生电平翻转时,所述上拉电路适于上拉所述输出信号的低电平至所述高电平,所述下拉电路适于下拉所述输出信号的高电平至所述低电平,以进行所述输出信号的电平翻转;

所述电平转换电路还包括:辅助下拉电路,所述辅助下拉电路耦接至所述输出节点以及所述地端之间,所述辅助下拉电路还耦接至所述输入信号以及控制信号,在所述输入信号发生电平翻转时,所述辅助下拉电路基于所述控制信号的控制,下拉所述输出信号的高电平至所述低电平。

2.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,所述辅助下拉电路包括:开关子电路以及辅助下拉子电路;

所述开关子电路适于耦接至所述输出节点以及所述地端之间,所述开关子电路还耦接至所述控制信号,所述开关子电路适于在所述控制信号的控制下接通或断开,以接通或断开所述辅助下拉子电路;

所述辅助下拉子电路耦接至所述开关子电路以及所述地端之间,所述辅助下拉子电路还耦接至所述输入信号,所述辅助下拉子电路适于在所述输入信号发生电平翻转时,下拉所述输出信号的高电平至所述低电平。

3.根据权利要求2所述的电平转换电路,其特征在于,所述辅助下拉子电路由厚栅氧化层晶体管组成。

4.根据权利要求2所述的电平转换电路,其特征在于,所述输入信号包括正向输入信号以及反向输入信号,所述输出节点包括第一输出节点以及第二输出节点,所述开关子电路包括第一NMOS管以及第二NMOS管,所述辅助下拉子电路包括第三NMOS管以及第四NMOS管;

所述第一NMOS管的源极耦接至所述第三NMOS管的漏极,所述第一NMOS管的漏极耦接至所述第一输出节点,所述第一NMOS管的栅极耦接至所述控制信号;

所述第二NMOS管的源极耦接至所述第四NMOS管的漏极,所述第二NMOS管的漏极耦接至所述第二输出节点,所述第二NMOS管的栅极耦接至所述控制信号;

所述第三NMOS管的源极耦接至所述地端,所述第三NMOS管的栅极耦接至所述正向输入信号;

所述第四NMOS管的源极耦接至所述地端,所述第四NMOS管的栅极耦接至所述反向输入信号。

5.根据权利要求2所述的电平转换电路,其特征在于,所述辅助下拉电路还包括:辅助限压子电路,所述辅助限压子电路耦接至所述开关子电路以及所述辅助下拉子电路之间,所述辅助限压子电路还耦接至第二电源,所述第二电源的电压值小于所述第一电源的电压值;

所述辅助限压子电路由耗尽型厚栅氧化层晶体管组成,所述辅助下拉子电路由薄栅氧化层晶体管组成,所述辅助限压子电路适于在所述第二电源的作用下保持接通。

6.根据权利要求5所述的电平转换电路,其特征在于,所述辅助限压子电路包括第五NMOS管以及第六NMOS管;

所述第五NMOS管的源极耦接至所述辅助下拉子电路,所述第五NMOS管的漏极耦接至所述开关子电路,所述第五NMOS管的栅极耦接至所述第二电源;

所述第六NMOS管的源极耦接至所述辅助下拉子电路,所述第六NMOS管的漏极耦接至所述开关子电路,所述第六NMOS管的栅极耦接至所述第二电源。

7.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,所述电平转换电路还包括:辅助上拉电路,所述辅助上拉电路耦接至所述第一电源、所述输出节点以及控制信号,所述辅助上拉电路适于在所述控制信号的控制下,在所述输入信号的发生电平翻转时,上拉所述输出信号的低电平至所述高电平。

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