[发明专利]一种应用于高灵敏度气体传感器的场效应晶体管在审
| 申请号： | 201910454188.X | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110186979A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 渠开放;江斌;程庆苏;李桂华;吉娜;王伟 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 气体传感器 栅极氧化层 导电沟道 场效应晶体管 高灵敏度 场效应管 金属电极 上下表面 异质结构 灵敏度 漏极 漏区 三层 源极 源区 沉淀 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于高灵敏度气体传感器的场效应晶体管，其特征在于：包括导电沟道(1)、源区(2)、漏区(3)、栅极氧化层(4)、源极、漏极、栅极；所述导电沟道由三层纵向异质结构组成，从下至上依次为WSe2、BN、BP；导电沟道(1)的上下表面分别设有栅极氧化层(4)；栅极氧化层外表面沉淀有金属电极，作为栅极。
2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于：所述栅极氧化层(4)采用原子沉积法进行沉积。
3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于：所述纵向异质结构的WSe2、BN、BP三种材料均为二维结构。
4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于：所述WSe2、BN、BP材料均为单层。
5.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于：所述纵向异质结构的底部衬底为Si/SiO2。
6.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于：所述金属电极为Ti和Au。
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