[发明专利]半导体封装件和方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一再分布结构，包括第一介电层；

管芯，粘附至所述第一再分布结构的第一侧；

密封剂，横向密封所述管芯，所述密封剂通过第一共价键接合至所述第一介电层；

包括晶种层和位于所述晶种层上方的导电材料的通孔，所述通孔延伸穿过所述密封剂以与所述第一介电层下方的第一金属化图案电连接；和

第一导电连接器，电连接至所述第一再分布结构的第二侧，所述第一导电连接器的子集与所述密封剂和所述管芯的界面重叠；

其中，第一介电层的面向所述密封剂的粗糙表面的凹坑中没有与所述晶种层的材料相同的金属残余物，从而所述密封剂和所述第一介电层之间没有与所述晶种层的材料相同的金属残余物。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述密封剂包括模塑料和亲核试剂。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述亲核试剂是乙二醇，2-乙氧基乙醇或盐酸乙醇胺。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：

粘合剂，将所述管芯粘附至所述第一介电层，所述粘合剂通过第二共价键接合至所述第一介电层。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述粘合剂包括环氧树脂和亲核试剂。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电连接器的子集的每个相应导电连接器具有宽度，其中，每个相应导电连接器的宽度的至少四分之一设置在所述管芯上方，其中，每个相应导电连接器的宽度的至少四分之一设置在所述密封剂上方。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二再分布结构，电连接至所述通孔和所述管芯，所述密封剂设置在所述第一再分布结构和所述第二再分布结构之间；和

第二导电连接器，电连接至所述第二再分布结构，所述第二导电连接器的子集与所述密封剂和所述管芯的界面重叠。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：

器件封装件，通过所述第一导电连接器连接至所述第一再分布结构；和

封装衬底，通过所述第二导电连接器连接至所述第二再分布结构；

所述第一导电连接器的子集与所述管芯的拐角重叠。

9.一种形成半导体器件的方法，包括：

在第一金属化图案上方形成第一介电层；

形成延伸穿过所述第一介电层的通孔，所述通孔电连接至所述第一金属化图案，所述通孔包括晶种层和位于所述晶种层上方的导电材料；

处理所述第一介电层的第一表面以在所述第一介电层的所述第一表面上形成悬空的羟基；其中，处理所述第一介电层的第一表面包括：

执行第一表面处理工艺以同时蚀刻和羟基化所述第一介电层的所述第一表面；以及

执行第二表面处理工艺，以去除由蚀刻所述第一介电层的所述第一表面而暴露出的残留的金属，所述残留的金属为形成所述晶种层时捕获在所述第一介电层的粗糙的所述第一表面的凹坑中的金属；将管芯粘附至所述第一介电层的所述第一表面；

利用第一共价键将密封剂接合至所述第一介电层的第一表面，所述密封剂横向密封所述管芯和所述通孔；

在所述密封剂上方形成第二介电层；和

形成延伸通过所述第二介电层的第二金属化图案，所述第二金属化图案电连接至所述管芯和所述通孔。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

形成电连接至所述第一金属化图案的第一导电连接器，所述第一导电连接器的子集与所述管芯的边缘或拐角重叠；和

利用所述第一导电连接器将器件封装件连接至所述第一金属化图案。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

形成电连接至所述第二金属化图案的第二导电连接器，所述第二导电连接器的子集与所述管芯的边缘或拐角重叠；和

利用所述第二导电连接器将封装衬底连接到所述第二金属化图案。