[发明专利]一种过压保护电路

权利要求书

1.一种过压保护电路，其特征在于，包括：

保护晶体管，第一端接收外部电源提供的电源电压，第二端与受保护芯片的供电引脚连接以提供供电电压，控制端接收控制信号；以及

控制电路，包括第一比较器、第二比较器、由相反导电类型的第一晶体管和第二晶体管构成的级联结构以及逻辑电路，

所述第一比较器用于比较所述供电电压与第一阈值电压以获得欠压信号，所述第二比较器用于比较所述供电电压与第二阈值电压以获得过压信号，所述级联结构的第一端连接至第一电压，所述级联结构的第二端连接至第二电压，所述级联结构的中间节点连接至所述保护晶体管的控制端，所述逻辑电路用于根据所述欠压信号和所述过压信号导通所述第一晶体管和所述第二晶体管之一，以调节所述控制信号，

其中，当所述欠压信号和所述过压信号同时处于无效状态时，所述逻辑电路导通所述第一晶体管，以使得所述保护晶体管工作在导通状态，

当所述过压信号处于有效状态时，所述逻辑电路导通所述第二晶体管，以使得所述保护晶体管被关断。

2.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述控制电路还包括：

短路保护单元，用于在所述供电引脚短路时产生短路保护信号，调节单元根据所述短路保护信号关断所述保护晶体管，断开所述外部电源与所述供电引脚之间的电流路径。

3.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述第一电压大于/等于所述保护晶体管的导通电压，所述第二电压小于所述保护晶体管的导通电压。

4.根据权利要求2所述的过压保护电路，其特征在于，所述逻辑电路还配置为，当所述短路保护信号处于有效状态时，所述逻辑电路导通所述第二晶体管。

5.根据权利要求2所述的过压保护电路，其特征在于，所述逻辑电路包括：

第一或门，第一输入端用于接收所述欠压信号，第二输入端用于接收所述过压信号，输出端连接至所述第一晶体管的控制端；

第二或门，第一输入端用于接收所述短路保护信号，第二输入端用于接收所述过压信号，输出端连接至所述第二晶体管的控制端。

6.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述第一晶体管选自P型MOSFET和N型MOSFET中的一种，所述第二晶体管选自P型MOSFET和N型MOSFET的另一种。

7.根据权利要求3所述的过压保护电路，其特征在于，所述第二电压等于所述受保护芯片的供电电压，所述第一电压等于所述供电电压与一预设电压之和。

8.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述控制电路还包括：

电荷泵，用于在所述欠压信号处于无效状态时开启，提供所述第一电压；以及

电流源，所述电流源连接至所述级联结构的第一端，

其中，所述电流源用于在所述第一晶体管导通时将所述保护晶体管的控制端充电至所述第一电压。

9.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述控制电路还包括限流电阻，所述限流电阻连接在所述第一晶体管的第二端和所述第二晶体管的第一端之间。

10.根据权利要求2所述的过压保护电路，其特征在于，所述短路保护单元通过上升沿触发的脉冲产生模块实现，所述脉冲产生模块在所述欠压信号由无效状态转变为有效状态时，产生一窄脉冲信号。

11.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，还包括启动电路，用于根据所述外部电源的电源电压产生启动信号，开启所述保护晶体管。

12.根据权利要求11所述的过压保护电路，其特征在于，所述启动电路包括串联连接在所述外部电源和地之间的输入电阻和输入电容，

其中，所述输入电阻和输入电容的中间节点连接至所述保护晶体管的控制端以提供所述启动信号。